| Ваш IP: 3.17.154.144 | Online(65) - гости: 16, боты: 48 | Загрузка сервера: 0.84 ::::::::::::
rcl-radio.ru | Основные параметры IGBT транзистора HGTD10N50F1
Онлайн справочник - IGBT транзисторы
Поиск по справочнику

Основные параметры IGBT транзистора HGTD10N50F1

  • Структура (технология): IGBT
  • Тип канала: N-Channel
  • Максимальная рассеиваемая мощность коллектора (Pc max): 75W
  • Предельное постоянное напряжение коллектор - эмиттер (Uce max): 500V
  • Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.5V
  • Предельное постоянное напряжение коллектор - затвор (Ucg max): 500V
  • Предельное постоянное напряжение эмиттер - затвор (Ueb max): ±20V
  • Предельный постоянный ток коллектора (Ic max): 12A
  • Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
  • Время включения/выключения (Fr): 45/130nS
  • Производитель: HARRIS
  • Тип корпуса: IPAK
  • Найти datasheet

Поиск по параметрам:
Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска.
Пустые поля будут игнорироваться при поиске.

Тип каналаPc (W)Uce (V)Ucesat (V)Ucg (V)Id (A)Разброс поискаПоказывать по
Похожие по параметрам:
Транз.КаналPd maxUce maxUcesatUcg maxUeb maxId maxFrCc tipКорпус
HGT1S7N60C3DN-Channel60W600V2V600V±20V14A8.5/350nSIPAK
HGTD7N60C3SN-Channel60W600V2V600V±20V14A8.5/350nSDPAK
HGTP7N60C3N-Channel60W600V2V600V±20V14A8.5/350nSTO220
HGTP7N60C3DN-Channel60W600V2V600V±20V14A8.5/350nSTO220
HGTP14N40F3VLN-Channel83W400V2V400V±10V14A16µSTO220
STGB7NB60HDN-Channel80W600V2.8V600V±20V14A15/48nS390pFDPAK
G7N60C3N-Channel60W600V2V600V±20V14A8.5/350nSTO220
TA49115N-Channel60W600V2V600V±20V14A8.5/350nSTO220
HGTD7N60C3S9AN-Channel60W600V2V600V±20V14A8.5/350nSDPAK
G7N60CN-Channel60W600V2V600V±20V14A8.5/350nSDPAK
G7N60C3DN-Channel60W600V2V600V±20V14A8.5/350nSTO220
TA49121N-Channel60W600V2V600V±20V14A8.5/350nSTO220
HGT1S7N60C3DSN-Channel60W600V2V600V±20V14A8.5/350nSDPAK
HGT1S7N60C3DS9AN-Channel60W600V2V600V±20V14A8.5/350nSDPAK
HGTP6N40E1DN-Channel75W400V2.9V400V±20V10A90/24nSTO220
G6N40E1DN-Channel75W400V2.9V400V±20V10A90/24nSTO220
HGTP6N50E1DN-Channel75W500V2.9V500V±20V10A90/24nSTO220
G6N50E1DN-Channel75W500V2.9V500V±20V10A90/24nSTO220
HGTP10N40C1DN-Channel75W400V2.5V400V±20V10A50/400nSTO220
10N40C1DN-Channel75W400V2.5V400V±20V10A50/400nSTO220
HGTP10N40E1DN-Channel75W400V2.5V400V±20V10A50/400nSTO220
10N40E1DN-Channel75W400V2.5V400V±20V10A50/400nSTO220
HGTP10N50C1DN-Channel75W500V2.5V500V±20V10A50/400nSTO220
10N50C1DN-Channel75W500V2.5V500V±20V10A50/400nSTO220
HGTP10N50E1DN-Channel75W500V2.5V500V±20V10A50/400nSTO220
10N50E1DN-Channel75W500V2.5V500V±20V10A50/400nSTO220
HGTP10N40F1DN-Channel75W400V2.5V400V±20V12A45/130nSTO220
10N40F1DN-Channel75W400V2.5V400V±20V12A45/130nSTO220
HGTP10N50F1DN-Channel75W500V2.5V500V±20V12A45/130nSTO220
10N50F1DN-Channel75W500V2.5V500V±20V12A45/130nSTO220
HGTD10N40F1N-Channel75W400V2.5V400V±20V12A45/130nSIPAK
HGTD10N40F1SN-Channel75W400V2.5V400V±20V12A45/130nSDPAK
HGTD10N40F1S9AN-Channel75W400V2.5V400V±20V12A45/130nSDPAK
G10N40N-Channel75W400V2.5V400V±20V12A45/130nSDPAK
G10N50N-Channel75W500V2.5V500V±20V12A45/130nSIPAK
HGTD10N50F1SN-Channel75W500V2.5V500V±20V12A45/130nSDPAK
HGTD10N50F1S9AN-Channel75W500V2.5V500V±20V12A45/130nSDPAK
Просмотров: 309 351