| Ваш IP: 3.238.116.201 | Online(32) - гости: 11, боты: 21 | Загрузка сервера: 0.64 ::::::::::::
rcl-radio.ru | Основные параметры IGBT транзистора G7N60C3D
Онлайн справочник - IGBT транзисторы
Поиск по справочнику

Основные параметры IGBT транзистора G7N60C3D

  • Структура (технология): IGBT
  • Тип канала: N-Channel
  • Максимальная рассеиваемая мощность коллектора (Pc max): 60W
  • Предельное постоянное напряжение коллектор - эмиттер (Uce max): 600V
  • Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2V
  • Предельное постоянное напряжение коллектор - затвор (Ucg max): 600V
  • Предельное постоянное напряжение эмиттер - затвор (Ueb max): ±20V
  • Предельный постоянный ток коллектора (Ic max): 14A
  • Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
  • Время включения/выключения (Fr): 8.5/350nS
  • Производитель: INTERSIL
  • Тип корпуса: TO220
  • Найти datasheet

Поиск по параметрам:
Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска.
Пустые поля будут игнорироваться при поиске.

Тип каналаPc (W)Uce (V)Ucesat (V)Ucg (V)Id (A)Разброс поискаПоказывать по
Похожие по параметрам:
Транз.КаналPd maxUce maxUcesatUcg maxUeb maxId maxFrCc tipКорпус
HGT1S7N60C3DN-Channel60W600V2V600V±20V14A8.5/350nSIPAK
HGTD7N60C3SN-Channel60W600V2V600V±20V14A8.5/350nSDPAK
HGTP7N60C3N-Channel60W600V2V600V±20V14A8.5/350nSTO220
HGTP7N60C3DN-Channel60W600V2V600V±20V14A8.5/350nSTO220
G7N60C3N-Channel60W600V2V600V±20V14A8.5/350nSTO220
TA49115N-Channel60W600V2V600V±20V14A8.5/350nSTO220
HGTD7N60C3S9AN-Channel60W600V2V600V±20V14A8.5/350nSDPAK
G7N60CN-Channel60W600V2V600V±20V14A8.5/350nSDPAK
TA49121N-Channel60W600V2V600V±20V14A8.5/350nSTO220
HGT1S7N60C3DSN-Channel60W600V2V600V±20V14A8.5/350nSDPAK
HGT1S7N60C3DS9AN-Channel60W600V2V600V±20V14A8.5/350nSDPAK
Просмотров: 301 516