Онлайн справочник - IGBT транзисторы
Поиск по справочнику
rcl-radio.ru | Основные параметры IGBT транзистора HGTD6N50E1SОсновные параметры IGBT транзистора HGTD6N50E1S
- Структура (технология): IGBT
- Тип канала: N-Channel
- Максимальная рассеиваемая мощность коллектора (Pc max): 60W
- Предельное постоянное напряжение коллектор - эмиттер (Uce max): 500V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.5V
- Предельное постоянное напряжение коллектор - затвор (Ucg max): 500V
- Предельное постоянное напряжение эмиттер - затвор (Ueb max): ±20V
- Предельный постоянный ток коллектора (Ic max): 7.5A
- Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
- Время включения/выключения (Fr): 90/24nS
- Производитель: HARRIS
- Тип корпуса: DPAK
- Найти datasheet
Похожие по параметрам:
| Транз. | Канал | Pd max | Uce max | Ucesat | Ucg max | Ueb max | Id max | Fr | Cc tip | Корпус| STGB3NB60HD | N-Channel | 70W | 600V | 2.8V | 600V | ±20V | 6A | 16/30nS | 235pF | DPAK | | STGD7NB60H | N-Channel | 55W | 600V | 2.8V | 600V | ±20V | 7A | 15/48nS | 560pF | DPAK | | HGTD6N40E1 | N-Channel | 60W | 400V | 2.5V | 400V | ±20V | 7.5A | 90/24nS | | IPAK | | HGTD6N40E1S | N-Channel | 60W | 400V | 2.5V | 400V | ±20V | 7.5A | 90/24nS | | DPAK | | HGTD6N50E1 | N-Channel | 60W | 500V | 2.5V | 500V | ±20V | 7.5A | 90/24nS | | IPAK | | G6N40E | N-Channel | 60W | 400V | 2.5V | 400V | ±20V | 7.5A | 90/24nS | | IPAK | | G6N50E | N-Channel | 60W | 500V | 2.5V | 500V | ±20V | 7.5A | 90/24nS | | DPAK | |
|
| |
| |
Просмотров: 309 997