| Ваш IP: 18.204.227.117 | Online(25) - гости: 19, боты: 6 | Загрузка сервера: 0.39 ::::::::::::

Дата – 03.04.2020

1Т806А, 1Т806Б, 1Т806В, ГТ806А, ГТ806Б, ГТ806В, ГТ806Г, ГТ806Д

1Т806А, 1Т806Б, 1Т806В, ГТ806А, ГТ806Б, ГТ806В, ГТ806Г, ГТ806Д — транзисторы германиевые диффузионно-сплавные  p-n-p переключательные НЧ мощные. Предназначены для работы в импульсных схемах, преобразователях и стабилизаторах тока и напряжения. Граничное напряжение при Iэ = 3 А, Ти ≤ 50 мкс, f = 20-50 Гц не менее 1Т806А … 40 В 1Т806Б … 65 В 1Т806В … […]

Загрузка...
Просмотров: 130 Подробнее

ГТ703А, ГТ703Б, ГТ703В, ГТ703Г, ГТ703Д

ГТ703А, ГТ703Б, ГТ703В, ГТ703Г, ГТ703Д — транзисторы германиевые сплавные  p-n-p универсальные НЧ мощные. Предназначены для работы в УНЧ. Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при Iк = 3 А, Iб = 0,225 А не более … 0,6 В Напряжение насыщения база-эмиттер при Iк = 3 А, Iб = 0,225 А не более … 1 В Статический коэффициент передачи […]

Загрузка...
Просмотров: 102 Подробнее

1Т702А, 1Т702Б, 1Т702В

1Т702А, 1Т702Б, 1Т702В — транзисторы германиевые сплавные  p-n-p универсальные НЧ мощные. Предназначены для работы в УНЧ, в ключевых схемах преобразователей напряжения, в схемах управляемых регуляторов, в импульсных схемах. Граничное напряжение при Iк = 2,5 А не менее при Т = 298К 1Т702А, 1Т702Б … 60 В 1Т702В … 40 В при Т = 343 К […]

Загрузка...
Просмотров: 104 Подробнее