| Ваш IP: 18.97.9.174 | Online(37) - гости: 10, боты: 27 | Загрузка сервера: 1.31 ::::::::::::
rcl-radio.ru | Основные параметры IGBT транзистора IXSH30N60CD1
Онлайн справочник - IGBT транзисторы
Поиск по справочнику

Основные параметры IGBT транзистора IXSH30N60CD1

  • Структура (технология): IGBT
  • Тип канала: N-Channel
  • Максимальная рассеиваемая мощность коллектора (Pc max): 200W
  • Предельное постоянное напряжение коллектор - эмиттер (Uce max): 600V
  • Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.5V
  • Предельное постоянное напряжение коллектор - затвор (Ucg max): 600V
  • Предельное постоянное напряжение эмиттер - затвор (Ueb max): ±20V
  • Предельный постоянный ток коллектора (Ic max): 55A
  • Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
  • Время включения/выключения (Fr): 30/90nS
  • Типовое значение емкости коллектора (Cc tip): 3100pF
  • Производитель: IXYS
  • Тип корпуса: TO247
  • Найти datasheet

Поиск по параметрам:
Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска.
Пустые поля будут игнорироваться при поиске.

Тип каналаPc (W)Uce (V)Ucesat (V)Ucg (V)Id (A)Разброс поискаПоказывать по
Похожие по параметрам:
Транз.КаналPd maxUce maxUcesatUcg maxUeb maxId maxFrCc tipКорпус
HGTG27N60C3RN-Channel208W600V2.2V600V±20V54A38/250nSTO247
IXSH30N60N-Channel200W600V2.5V600V±20V50A60/400nS2760pFTO247
IXSH30N60U1N-Channel200W600V2.5V600V±20V50A60/400nS2760pFTO247
STGW50NB60HN-Channel190W600V2.8V600V±20V50A30/90nS4500pFTO247
IXSM30N60N-Channel200W600V2.5V600V±20V50A60/400nS2760pFTO3
27N60C3RN-Channel208W600V2.2V600V±20V54A38/250nSTO247
TA49048N-Channel208W600V2.2V600V±20V54A38/250nSTO247
Просмотров: 310 021