| Ваш IP: 44.221.70.232 | Online(20) - гости: 3, боты: 17 | Загрузка сервера: 0.19 ::::::::::::
rcl-radio.ru | Основные параметры IGBT транзистора 27N60C3DR
Онлайн справочник - IGBT транзисторы
Поиск по справочнику

Основные параметры IGBT транзистора 27N60C3DR

  • Структура (технология): IGBT
  • Тип канала: N-Channel
  • Максимальная рассеиваемая мощность коллектора (Pc max): 208W
  • Предельное постоянное напряжение коллектор - эмиттер (Uce max): 600V
  • Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.8V
  • Предельное постоянное напряжение коллектор - затвор (Ucg max): 600V
  • Предельное постоянное напряжение эмиттер - затвор (Ueb max): ±20V
  • Предельный постоянный ток коллектора (Ic max): 54A
  • Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
  • Время включения/выключения (Fr): 38/250nS
  • Производитель: INTERSIL
  • Тип корпуса: TO247
  • Найти datasheet

Поиск по параметрам:
Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска.
Пустые поля будут игнорироваться при поиске.

Тип каналаPc (W)Uce (V)Ucesat (V)Ucg (V)Id (A)Разброс поискаПоказывать по
Похожие по параметрам:
Транз.КаналPd maxUce maxUcesatUcg maxUeb maxId maxFrCc tipКорпус
HGTG27N60C3DRN-Channel208W600V1.8V600V±20V54A38/250nSTO247
HGTG30N60C3N-Channel208W600V1.8V600V±20V63A40/320nSTO247
HGTG30N60C3DN-Channel208W600V1.8V600V±20V63A40/320nSTO247
G30N60C3N-Channel208W600V1.8V600V±20V63A40/320nSTO247
G30N60C3DN-Channel208W600V1.8V600V±20V63A40/320nSTO247
Просмотров: 298 118