| Ваш IP: 44.221.70.232 | Online(21) - гости: 3, боты: 18 | Загрузка сервера: 0.3 ::::::::::::
rcl-radio.ru | Основные параметры IGBT транзистора HGT1S12N60C3DS
Онлайн справочник - IGBT транзисторы
Поиск по справочнику

Основные параметры IGBT транзистора HGT1S12N60C3DS

  • Структура (технология): IGBT
  • Тип канала: N-Channel
  • Максимальная рассеиваемая мощность коллектора (Pc max): 104W
  • Предельное постоянное напряжение коллектор - эмиттер (Uce max): 600V
  • Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.65V
  • Предельное постоянное напряжение коллектор - затвор (Ucg max): 600V
  • Предельное постоянное напряжение эмиттер - затвор (Ueb max): ±20V
  • Предельный постоянный ток коллектора (Ic max): 24A
  • Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
  • Время включения/выключения (Fr): 28/270nS
  • Производитель: INTERSIL
  • Тип корпуса: DPAK
  • Найти datasheet

Поиск по параметрам:
Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска.
Пустые поля будут игнорироваться при поиске.

Тип каналаPc (W)Uce (V)Ucesat (V)Ucg (V)Id (A)Разброс поискаПоказывать по
Похожие по параметрам:
Транз.КаналPd maxUce maxUcesatUcg maxUeb maxId maxFrCc tipКорпус
HGTP12N60C3DN-Channel104W600V1.65V600V±20V24A28/270nSTO220
HGT1S12N60C3DN-Channel104W600V1.65V600V±20V24A28/270nSIPAK
HGT1S12N60C3DS9AN-Channel104W600V1.65V600V±20V24A28/270nSDPAK
12N60C3DN-Channel104W600V1.65V600V±20V24A28/270nSTO220
TA49182N-Channel104W600V1.65V600V±20V24A28/270nSTO220
Просмотров: 298 114