| Ваш IP: 18.223.172.252 | Online(27) - гости: 19, боты: 7 | Загрузка сервера: 0.51 ::::::::::::
rcl-radio.ru | Основные параметры IGBT транзистора APT33GF120LRD
Онлайн справочник - IGBT транзисторы
Поиск по справочнику
Основные параметры IGBT транзистора APT33GF120LRD

  • Структура (технология): IGBT
  • Тип канала: N-Channel
  • Максимальная рассеиваемая мощность коллектора (Pc max): 300W
  • Предельное постоянное напряжение коллектор - эмиттер (Uce max): 1200V
  • Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.7V
  • Предельное постоянное напряжение коллектор - затвор (Ucg max): 1200V
  • Предельное постоянное напряжение эмиттер - затвор (Ueb max): ±20V
  • Предельный постоянный ток коллектора (Ic max): 33A
  • Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
  • Время включения/выключения (Fr): 30/155nS
  • Типовое значение емкости коллектора (Cc tip): 2200pF
  • Производитель: Advanced Power
  • Тип корпуса: TO264
  • Найти datasheet
Поиск по параметрам:
Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска.
Пустые поля будут игнорироваться при поиске.
Тип каналаPc (W)Uce (V)Ucesat (V)Ucg (V)Id (A)Разброс поискаПоказывать по
Похожие по параметрам:
Транз.КаналPd maxUce maxUcesatUcg maxUeb maxId maxFrCc tipКорпус
APT33GF120B2RDN-Channel300W1200V2.7V1200V±20V33A30/155nS2200pFTMAX
Просмотров: 296 299