| Ваш IP: 3.235.186.94 | Online(25) - гости: 5, боты: 20 | Загрузка сервера: 0.09 ::::::::::::
rcl-radio.ru | Основные параметры IGBT транзистора G8P50G
Онлайн справочник - IGBT транзисторы
Поиск по справочнику

Основные параметры IGBT транзистора G8P50G

  • Структура (технология): IGBT
  • Тип канала: P-Channel
  • Максимальная рассеиваемая мощность коллектора (Pc max): 66W
  • Предельное постоянное напряжение коллектор - эмиттер (Uce max): 500V
  • Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.5V
  • Предельное постоянное напряжение коллектор - затвор (Ucg max): 500V
  • Предельное постоянное напряжение эмиттер - затвор (Ueb max): ±20V
  • Предельный постоянный ток коллектора (Ic max): 3A
  • Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
  • Время включения/выключения (Fr): 45/450nS
  • Производитель: HARRIS
  • Тип корпуса: DPAK
  • Найти datasheet

Поиск по параметрам:
Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска.
Пустые поля будут игнорироваться при поиске.

Тип каналаPc (W)Uce (V)Ucesat (V)Ucg (V)Id (A)Разброс поискаПоказывать по
Похожие по параметрам:
Транз.КаналPd maxUce maxUcesatUcg maxUeb maxId maxFrCc tipКорпус
HGTD8P50G1P-Channel66W500V2.5V500V±20V3A45/450nSIPAK
HGTD8P50G1SP-Channel66W500V2.5V500V±20V3A45/450nSDPAK
HGTD8P50G1S9AP-Channel66W500V2.5V500V±20V3A45/450nSDPAK
TA49015P-Channel66W500V2.5V500V±20V3A45/450nSDPAK
Просмотров: 267 185