| Ваш IP: 3.235.186.94 | Online(41) - гости: 16, боты: 25 | Загрузка сервера: 0.3 ::::::::::::
rcl-radio.ru | Основные параметры IGBT транзистора HGTD3N60C3
Онлайн справочник - IGBT транзисторы
Поиск по справочнику

Основные параметры IGBT транзистора HGTD3N60C3

  • Структура (технология): IGBT
  • Тип канала: N-Channel
  • Максимальная рассеиваемая мощность коллектора (Pc max): 33W
  • Предельное постоянное напряжение коллектор - эмиттер (Uce max): 600V
  • Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.65V
  • Предельное постоянное напряжение коллектор - затвор (Ucg max): 600V
  • Предельное постоянное напряжение эмиттер - затвор (Ueb max): ±20V
  • Предельный постоянный ток коллектора (Ic max): 6A
  • Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
  • Время включения/выключения (Fr): 5/325nS
  • Производитель: HARRIS
  • Тип корпуса: IPAK
  • Найти datasheet

Поиск по параметрам:
Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска.
Пустые поля будут игнорироваться при поиске.

Тип каналаPc (W)Uce (V)Ucesat (V)Ucg (V)Id (A)Разброс поискаПоказывать по
Похожие по параметрам:
Транз.КаналPd maxUce maxUcesatUcg maxUeb maxId maxFrCc tipКорпус
HGTD3N60C3SN-Channel33W600V1.65V600V±20V6A5/325nSDPAK
IRG4IBC20UDN-Channel34W600V1.85V600V±20V6A10-100KHz530pFISO220
G3N60CN-Channel33W600V1.65V600V±20V6A5/325nSDPAK
HGTD3N60C3S9AN-Channel33W600V1.65V600V±20V6A5/325nSDPAK
Просмотров: 267 232