| Ваш IP: 3.136.97.64 | Online(42) - гости: 11, боты: 31 | Загрузка сервера: 1.47 ::::::::::::
rcl-radio.ru | Основные параметры IGBT транзистора 2N6976
Онлайн справочник - IGBT транзисторы
Поиск по справочнику
Основные параметры IGBT транзистора 2N6976

  • Структура (технология): IGBT
  • Тип канала: N-Channel
  • Максимальная рассеиваемая мощность коллектора (Pc max): 100W
  • Предельное постоянное напряжение коллектор - эмиттер (Uce max): 500V
  • Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 4.5V
  • Предельное постоянное напряжение коллектор - затвор (Ucg max): 500V
  • Предельное постоянное напряжение эмиттер - затвор (Ueb max): ±20V
  • Предельный постоянный ток коллектора (Ic max): 5A
  • Предельная температура p-n перехода (Tj max): 175°C
  • Время включения/выключения (Fr): 50/400nS
  • Производитель: HARRIS
  • Тип корпуса: TO3
  • Найти datasheet
Поиск по параметрам:
Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска.
Пустые поля будут игнорироваться при поиске.
Тип каналаPc (W)Uce (V)Ucesat (V)Ucg (V)Id (A)Разброс поискаПоказывать по
Похожие по параметрам:
Транз.КаналPd maxUce maxUcesatUcg maxUeb maxId maxFrCc tipКорпус
2N6975N-Channel100W400V4.5V400V±20V5A50/400nSTO3
2N6977N-Channel100W400V4.5V400V±20V5A50/400nSTO3
2N6978N-Channel100W500V4.5V500V±20V5A50/400nSTO3
Просмотров: 295 136