| Ваш IP: 3.235.186.94 | Online(24) - гости: 11, боты: 13 | Загрузка сервера: 0.35 ::::::::::::
rcl-radio.ru | Основные параметры IGBT транзистора MSAHZ52F120B
Онлайн справочник - IGBT транзисторы
Поиск по справочнику

Основные параметры IGBT транзистора MSAHZ52F120B

  • Структура (технология): IGBT
  • Тип канала: P-Channel
  • Максимальная рассеиваемая мощность коллектора (Pc max): 300W
  • Предельное постоянное напряжение коллектор - эмиттер (Uce max): 1200V
  • Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 3.2V
  • Предельное постоянное напряжение коллектор - затвор (Ucg max): 1200V
  • Предельное постоянное напряжение эмиттер - затвор (Ueb max): ±20V
  • Предельный постоянный ток коллектора (Ic max): 52A
  • Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
  • Время включения/выключения (Fr): 95/420nS
  • Типовое значение емкости коллектора (Cc tip): 2200pF
  • Производитель: MICROSEMI
  • Тип корпуса: COOLPACK
  • Найти datasheet

Поиск по параметрам:
Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска.
Пустые поля будут игнорироваться при поиске.

Тип каналаPc (W)Uce (V)Ucesat (V)Ucg (V)Id (A)Разброс поискаПоказывать по
Похожие по параметрам:
Транз.КаналPd maxUce maxUcesatUcg maxUeb maxId maxFrCc tipКорпус
MSAGZ52F120BP-Channel300W1200V3.2V1200V±20V52A95/420nS2200pFCOOLPACK
PPNGZ52F120BP-Channel300W1200V3.2V1200V±20V52A110/560nS2200pFTO258
PPNHZ52F120BP-Channel300W1200V3.2V1200V±20V52A110/560nS2200pFTO258
Просмотров: 267 196