| Ваш IP: 3.235.186.94 | Online(30) - гости: 9, боты: 21 | Загрузка сервера: 0.27 ::::::::::::
rcl-radio.ru | Основные параметры IGBT транзистора MGW30N60
Онлайн справочник - IGBT транзисторы
Поиск по справочнику

Основные параметры IGBT транзистора MGW30N60

  • Структура (технология): IGBT
  • Тип канала: N-Channel
  • Максимальная рассеиваемая мощность коллектора (Pc max): 202W
  • Предельное постоянное напряжение коллектор - эмиттер (Uce max): 600V
  • Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.2V
  • Предельное постоянное напряжение коллектор - затвор (Ucg max): 600V
  • Предельное постоянное напряжение эмиттер - затвор (Ueb max): ±20V
  • Предельный постоянный ток коллектора (Ic max): 30A
  • Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
  • Время включения/выключения (Fr): 76/348nS
  • Типовое значение емкости коллектора (Cc tip): 4280pF
  • Производитель: ON-Semi
  • Тип корпуса: TO247
  • Найти datasheet

Поиск по параметрам:
Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска.
Пустые поля будут игнорироваться при поиске.

Тип каналаPc (W)Uce (V)Ucesat (V)Ucg (V)Id (A)Разброс поискаПоказывать по
Похожие по параметрам:
Транз.КаналPd maxUce maxUcesatUcg maxUeb maxId maxFrCc tipКорпус
STGB30NB60HN-Channel190W600V2.8V600V±20V30A15/75nS2300pFTO247
STGW30NB60HDN-Channel190W600V2.8V600V±20V30A15/35nS2300pFTO247
Просмотров: 267 214