| Ваш IP: 44.221.70.232 | Online(28) - гости: 7, боты: 21 | Загрузка сервера: 0.27 ::::::::::::
rcl-radio.ru | Основные параметры IGBT транзистора MGW20N60D
Онлайн справочник - IGBT транзисторы
Поиск по справочнику

Основные параметры IGBT транзистора MGW20N60D

  • Структура (технология): IGBT
  • Тип канала: N-Channel
  • Максимальная рассеиваемая мощность коллектора (Pc max): 142W
  • Предельное постоянное напряжение коллектор - эмиттер (Uce max): 600V
  • Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.3V
  • Предельное постоянное напряжение коллектор - затвор (Ucg max): 600V
  • Предельное постоянное напряжение эмиттер - затвор (Ueb max): ±20V
  • Предельный постоянный ток коллектора (Ic max): 20A
  • Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
  • Время включения/выключения (Fr): 59/150nS
  • Типовое значение емкости коллектора (Cc tip): 2280pF
  • Производитель: ON-Semi
  • Тип корпуса: TO247
  • Найти datasheet

Поиск по параметрам:
Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска.
Пустые поля будут игнорироваться при поиске.

Тип каналаPc (W)Uce (V)Ucesat (V)Ucg (V)Id (A)Разброс поискаПоказывать по
Похожие по параметрам:
Транз.КаналPd maxUce maxUcesatUcg maxUeb maxId maxFrCc tipКорпус
MGP21N60EN-Channel140W600V2.1V600V±20V21A29/238nS1605pFTO220
MGW21N60EDN-Channel142W600V2.1V600V±20V21A29/238nS1605pFTO247
STGW20NB60HN-Channel150W600V2.8V600V±20V20A110/145nS1200pFTO247
STGW20NB60HDN-Channel150W600V2.8V600V±20V20A110/145nS1200pFTO247
Просмотров: 298 116