| Ваш IP: 3.238.116.201 | Online(40) - гости: 11, боты: 29 | Загрузка сервера: 0.56 ::::::::::::
rcl-radio.ru | Основные параметры биполярного транзистора MMBT5551
Онлайн справочник - Биполярные транзисторы
Поиск по справочнику

Основные параметры биполярного транзистора MMBT5551

  • Материал: Si
  • Структура: npn
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 350mW
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 180V
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 5V
  • Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 5V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 200mA
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 175°C
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 300MHz
  • Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 80 ... 250
  • Емкость коллекторного перехода (Cc): 10 pF
  • Производитель: VISHAY
  • Корпус: SOT23
  • Найти datasheet

Поиск по параметрам:
Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска.
Пустые поля будут игнорироваться при поиске.

Струк.Pк max (W)Uкб (V)Uкэ (V)Uэб (V)Iк (A)ft (MHz)Разброс поискаПоказывать по
Просмотров: 2 588 499