| Ваш IP: 44.200.140.218 | Online(41) - гости: 6, боты: 35 | Загрузка сервера: 2.08 ::::::::::::
rcl-radio.ru | Основные параметры биполярного транзистора 2SC4666B
Онлайн справочник - Биполярные транзисторы
Поиск по справочнику

Основные параметры биполярного транзистора 2SC4666B

  • Материал: Si
  • Структура: npn
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 100mW
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 50V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 150mA
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 150°C
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250MHz
  • Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 1200 (min)
  • Емкость коллекторного перехода (Cc): - pF
  • Производитель: TOSHIBA
  • Корпус: SOT323
  • Найти datasheet

Поиск по параметрам:
Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска.
Пустые поля будут игнорироваться при поиске.

Струк.Pк max (W)Uкб (V)Uкэ (V)Uэб (V)Iк (A)ft (MHz)Разброс поискаПоказывать по
Похожие по параметрам:
Транз.Матер.Струк.PkUкбUкэUэбfthfeКорпус
2SC4076 Sinpn100mW60V-##150mA180MHz200 (min) TO236
2SC4666A Sinpn100mW50V--150mA250MHz600 ... 1800SOT323
FMW1 Sinpn100mW50V--150mA140MHz120 (min) SO6
FMW2 Sinpn100mW50V--150mA140MHz120 (min) SO6
IMX1 Sinpn100mW50V--150mA140MHz120 (min) SO6
IMX2 Sinpn100mW50V--150mA140MHz120 (min) SO6
IMX3 Sinpn100mW50V--150mA140MHz120 (min) SO6
UMW1N Sinpn100mW50V--150mA140MHz120 (min) SO6
UMW2N Sinpn100mW50V--150mA140MHz120 (min) SO6
UMX1N Sinpn100mW50V--150mA140MHz120 (min) SO6
UMX2N Sinpn100mW50V--150mA140MHz120 (min) SO6
UMX3N Sinpn100mW50V--150mA140MHz120 (min) SO6
Просмотров: 2 569 689