| Ваш IP: 3.144.243.184 | Online(23) - гости: 10, боты: 13 | Загрузка сервера: 0.28 ::::::::::::
rcl-radio.ru | Основные параметры биполярного транзистора P417
Онлайн справочник - Биполярные транзисторы
Поиск по справочнику

Основные параметры биполярного транзистора P417

  • Материал: Ge
  • Структура: pnp
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 50mW
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 8V
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 0.7V
  • Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 0.7V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 10mA
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 75°C
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200MHz
  • Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 24 ... 100
  • Емкость коллекторного перехода (Cc): 5 pF
  • Производитель: RUSSIA
  • Найти datasheet

Поиск по параметрам:
Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска.
Пустые поля будут игнорироваться при поиске.

Струк.Pк max (W)Uкб (V)Uкэ (V)Uэб (V)Iк (A)ft (MHz)Разброс поискаПоказывать по
Похожие по параметрам:
Транз.Матер.Струк.PkUкбUкэUэбfthfeКорпус
2SA336 Gepnp50mW9V--10mA12MHz35 (min) TO44-2
2SA337 Gepnp50mW9V--10mA15MHz35 (min) TO44-2
GFT41 Gepnp50mW8V####10mA150MHz50 (min) CAN
Просмотров: 2 326 129