| Ваш IP: 3.138.124.143 | Online(30) - гости: 11, боты: 19 | Загрузка сервера: 0.32 ::::::::::::
rcl-radio.ru | Основные параметры биполярного транзистора 2G417
Онлайн справочник - Биполярные транзисторы
Поиск по справочнику

Основные параметры биполярного транзистора 2G417

  • Материал: Ge
  • Структура: pnp
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 100mW
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 20V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 10mA
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 100°C
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 9MHz
  • Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 50 (min)
  • Емкость коллекторного перехода (Cc): 8 pF
  • Производитель: TI
  • Корпус: TO5
  • Найти datasheet

Поиск по параметрам:
Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска.
Пустые поля будут игнорироваться при поиске.

Струк.Pк max (W)Uкб (V)Uкэ (V)Uэб (V)Iк (A)ft (MHz)Разброс поискаПоказывать по
Похожие по параметрам:
Транз.Матер.Струк.PkUкбUкэUэбfthfeКорпус
2N1425 Gepnp80mW24V--10mA15MHz50TO7
2N1426 Gepnp80mW24V--10mA15MHz130TO7
2N2089 Gepnp100mW20V--10mA44MHz40 (min) TO7
2N2090 Gepnp100mW20V--10mA44MHz40 (min) TO7
2N2091 Gepnp100mW20V--10mA44MHz40 (min) TO7
2N2494 Gepnp83mW20V--10mA135MHz20 (min) TO7
2S99 Gepnp80mW20V--10mA8MHz30 (min) TO7
2SA134 Gepnp80mW20V--10mA50MHz30 (min) TO7
2SA135 Gepnp80mW20V--10mA60MHz40 (min) TO7
2SA228 Gepnp100mW20V--10mA12MHz70TO72
2SA233 Gepnp80mW20V--10mA40MHz50TO44-2
2SA266 Gepnp80mW20V--10mA25MHz75TO1
2SA267 Gepnp80mW20V--10mA20MHz60TO1
2SA268 Gepnp80mW20V--10mA18MHz45TO1
2SA269 Gepnp80mW20V--10mA12MHz45TO1
2SA288 Gepnp80mW20V--10mA250MHz10 (min) TO7
2SA289 Gepnp80mW20V--10mA250MHz10 (min) TO7
2SA290 Gepnp80mW20V--10mA250MHz10 (min) TO7
2SA343 Gepnp83mW20V--10mA70MHz100TO7
2SA351 Gepnp80mW20V--10mA18MHz70TO1
2SA351A Gepnp80mW20V--10mA18MHz80TO1
2SA352 Gepnp80mW20V--10mA18MHz75TO1
2SA352A Gepnp80mW20V--10mA18MHz95TO1
2SA400 Gepnp80mW20V--10mA30MHz70TO1
2SA434 Gepnp80mW20V--10mA180MHz10 (min) TO7
2SA435 Gepnp80mW20V--10mA180MHz10 (min) TO18
2SA61 Gepnp100mW20V--10mA30MHz40 (min) TO1
2SA80 Gepnp80mW20V--10mA25MHz80TO44-2
2SA81 Gepnp80mW20V--10mA20MHz80TO44-2
2SA82 Gepnp80mW20V--10mA20MHz80TO44-2
2SA95 Gepnp80mW20V--10mA20MHz30 (min) TO7
2SA96 Gepnp80mW20V--10mA18MHz30 (min) TO7
2SA97 Gepnp80mW20V--10mA16MHz30 (min) TO7
2SA98 Gepnp80mW20V--10mA10MHz30 (min) TO7
2SA99 Gepnp80mW20V--10mA8MHz30 (min) TO7
AF166 Gepnp85mW20V--10mA40MHz60 (min) TO44
AF169 Gepnp80mW24V--10mA30MHz25 (min) TO44
AF170 Gepnp85mW20V--10mA30MHz60 (min) TO44
AF171 Gepnp80mW24V--10mA30MHz100 (min) TO44
AF172 Gepnp85mW20V--10mA30MHz70 (min) TO44
AF193 Gepnp100mW20V--10mA20MHz35 (min) TO1
AF194 Gepnp80mW20V--10mA50MHz60 (min) TO44
AF195 Gepnp80mW20V--10mA40MHz80 (min) TO44
AF196 Gepnp80mW20V--10mA35MHz50 (min) TO44
AF197 Gepnp80mW20V--10mA30MHz35 (min) TO44
AF198 Gepnp80mW20V--10mA30MHz60 (min) TO44
Просмотров: 2 364 920