| Ваш IP: 18.216.83.240 | Online(23) - гости: 12, боты: 11 | Загрузка сервера: 0.25 ::::::::::::
rcl-radio.ru | Основные параметры биполярного транзистора 2G376
Онлайн справочник - Биполярные транзисторы
Поиск по справочнику

Основные параметры биполярного транзистора 2G376

  • Материал: Ge
  • Структура: pnp
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 150mW
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 35V
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 10V
  • Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 10V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 300mA
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 85°C
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1MHz
  • Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 30 (min)
  • Емкость коллекторного перехода (Cc): 40 pF
  • Производитель: TI
  • Корпус: TO1
  • Найти datasheet

Поиск по параметрам:
Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска.
Пустые поля будут игнорироваться при поиске.

Струк.Pк max (W)Uкб (V)Uкэ (V)Uэб (V)Iк (A)ft (MHz)Разброс поискаПоказывать по
Просмотров: 2 276 491