| Ваш IP: 3.16.70.101 | Online(22) - гости: 10, боты: 12 | Загрузка сервера: 0.25 ::::::::::::
rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора TK12A60W
Онлайн справочник - Полевые транзисторы
Поиск по справочнику
Основные параметры полевого транзистора TK12A60W

  • Структура (технология): MOSFET
  • Тип канала: N-channel
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 35W
  • Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 600V
  • Предельный постоянный ток стока (Id max): 11.5A
  • Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.3 Ом
  • Суммарный заряд затвора (Qg): 25 нКл
  • Производитель: Toshiba
  • Тип корпуса: TO-220SIS
  • Найти datasheet
Поиск по параметрам:
Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска.
Пустые поля будут игнорироваться при поиске.
Тип каналаPd max(W)Uds max(V)Id max(A)Rds(Ом)Разброс поискаПоказывать
Похожие по параметрам:
Транз.Структ.КаналPd maxUds maxUdg maxUgs maxId maxFrСissRdsКорпус
TK10A60W5 MOSFETN-channel30W600V9.7A0.45 ОмTO-220SIS
TK10A60W MOSFETN-channel30W600V9.7A0.38 ОмTO-220SIS
TK14A65W MOSFETN-channel40W650V13.7A0.25 ОмTO-220SIS
TK14A65W5 MOSFETN-channel40W650V13.7A0.3 ОмTO-220SIS
Просмотров: 1 011 203