| Ваш IP: 44.192.67.10 | Online(18) - гости: 3, боты: 15 | Загрузка сервера: 0.36 ::::::::::::
rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора TK16A60W5
Онлайн справочник - Полевые транзисторы
Поиск по справочнику

Основные параметры полевого транзистора TK16A60W5

  • Структура (технология): MOSFET
  • Тип канала: N-channel
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 40W
  • Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 600V
  • Предельный постоянный ток стока (Id max): 15.8A
  • Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.23 Ом
  • Суммарный заряд затвора (Qg): 43 нКл
  • Производитель: Toshiba
  • Тип корпуса: TO-220SIS
  • Найти datasheet

Поиск по параметрам:
Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска.
Пустые поля будут игнорироваться при поиске.

Тип каналаPd max(W)Uds max(V)Id max(A)Rds(Ом)Разброс поискаПоказывать
Похожие по параметрам:
Транз.Структ.КаналPd maxUds maxUdg maxUgs maxId maxFrСissRdsКорпус
TK16A60W MOSFETN-channel40W600V15.8A0.19 ОмTO-220SIS
TK14A65W MOSFETN-channel40W650V13.7A0.25 ОмTO-220SIS
TK14A65W5 MOSFETN-channel40W650V13.7A0.3 ОмTO-220SIS
TK17A65W MOSFETN-channel45W650V17.3A0.2 ОмTO-220SIS
TK17A65W5 MOSFETN-channel45W650V17.3A0.23 ОмTO-220SIS
Просмотров: 1 046 330