| Ваш IP: 3.149.252.37 | Online(31) - гости: 19, боты: 12 | Загрузка сервера: 0.43 ::::::::::::
rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора TK31V60W
Онлайн справочник - Полевые транзисторы
Поиск по справочнику
Основные параметры полевого транзистора TK31V60W

  • Структура (технология): MOSFET
  • Тип канала: N-channel
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 240W
  • Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 600V
  • Предельный постоянный ток стока (Id max): 30.8A
  • Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.098 Ом
  • Суммарный заряд затвора (Qg): 86 нКл
  • Производитель: Toshiba
  • Тип корпуса: DFN 8×8
  • Найти datasheet
Поиск по параметрам:
Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска.
Пустые поля будут игнорироваться при поиске.
Тип каналаPd max(W)Uds max(V)Id max(A)Rds(Ом)Разброс поискаПоказывать
Похожие по параметрам:
Транз.Структ.КаналPd maxUds maxUdg maxUgs maxId maxFrСissRdsКорпус
TK31E60W MOSFETN-channel230W600V30.8A0.088 ОмTO-220
TK31N60W5 MOSFETN-channel230W600V30.8A0.099 ОмTO-247
TK31N60X MOSFETN-channel230W600V30.8A0.088 ОмTO-247
TK31N60W MOSFETN-channel230W600V30.8A0.088 ОмTO-247
TK28N65W MOSFETN-channel230W650V27.6A0.11 ОмTO-247
TK28N65W5 MOSFETN-channel230W650V27.6A0.13 ОмTO-247
TK35N65W MOSFETN-channel270W650V35A0.08 ОмTO-247
TK35N65W5 MOSFETN-channel270W650V35A0.095 ОмTO-247
TK31J60W MOSFETN-channel230W600V30.8A0.088 ОмTO-3P(N)
TK31J60W5 MOSFETN-channel230W600V30.8A0.099 ОмTO-3P(N)
Просмотров: 1 008 410