| Ваш IP: 54.162.136.26 | Online(33) - гости: 17, боты: 16 | Загрузка сервера: 1.7 ::::::::::::

Электронная техника. Начало

На данной странице приведена информация о книге «Электронная техника. Начало». В ней в доступной форме описано устройство и принцип действия некоторых компонентов и распространённых электрических цепей. Материал книги изложен кратко, а дополнительную информацию читатели смогут найти в изданиях, внесённых в список литературы.

Содержание книги

ПРЕДИСЛОВИЕ

1. ПРОСТЕЙШИЕ КОМПОНЕНТЫ

1.1. Резисторы

1.2. Варисторы и негисторы

1.3. Терморезисторы

1.4. Конденсаторы

1.5. Ионисторы

1.6. Моточные компоненты

1.6.1. Катушки индуктивности и дроссели

1.6.2. Трансформаторы и пьезотрансформаторы

2. ПОЛУПРОВОДНИКИ И ПЕРЕХОДЫ

2.1. Общие сведения об электропроводности веществ

2.1.1. Диэлектрики, проводники, сверхпроводники и полупроводники

2.1.2. Носители заряда. Проводимости полупроводников: собственная и примесная

2.1.3. Диапазоны энергий и распределение носителей заряда в них

2.2. Электронно-дырочный переход

2.2.1. Получение электронно-дырочного перехода

2.2.2. Прямое и обратное включения электронно-дырочных переходов

2.2.3. Ёмкости и частотные свойства электронно-дырочных переходов

2.2.4. Пробои электронно-дырочных переходов

2.3. Переход и диод Шоттки: получение и включения в прямом и обратном направлении

2.4. Гетеропереходы

2.5. Эффекты полупроводников

2.5.1. Эффект Ганна

2.5.2. Эффект поля

2.5.3. Эффект Суля

2.5.4. Эффекты Пельтье и Зеебека

2.5.5. Туннельный эффект

2.5.6. Эффект Холла

3. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДИОДЫ

3.1. Конструкция и основные параметры полупроводниковых диодов

3.1.1. Общие сведения о полупроводниковых диодах

3.1.2. Конструкции и простейшие способы изготовления полупроводниковых диодов

3.1.3. Некоторые основные параметры полупроводниковых диодов

3.2. Выпрямительные диоды

3.3. Импульсные диоды

3.4. Варикапы

3.5. Стабилитроны и стабисторы

3.6. Светодиоды

3.7. Полупроводниковые лазеры

3.8. Фотодиоды

4. БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ

4.1. Общие сведения о транзисторах

4.2. Конструкция некоторых биполярных транзисторов

4.3. Принцип действия биполярных транзисторов

4.4. Схемы включения биполярных транзисторов

4.4.1. Схема включения транзистора с общим эмиттером

4.4.2. Схема включения транзистора с общим коллектором

4.4.3. Схема включения транзистора с общей базой

4.5. Биполярные фототранзисторы

4.6. Влияние частоты на усилительные свойства биполярных транзисторов

4.7. Влияние температуры на режимы работы биполярных транзисторов

5. ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ

5.1. Общие сведения о полевых транзисторах

5.2. Полевые транзисторы с управляющим переходом

5.2.1. Конструкция полевых транзисторов с управляющим переходом

5.2.2. Принцип действия полевых транзисторов с управляющим переходом

5.3. Полевые транзисторы с изолированным затвором

5.3.1. Полевые транзисторы со встроенным каналом

5.3.2. Полевые транзисторы с индуцированным каналом

5.4. Режимы работы полевых транзисторов

5.4.1. Динамический режим работы транзистора

5.4.2. Ключевой режим работы транзистора

6. БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ С ИЗОЛИРОВАННЫМИ ЗАТВОРАМИ

6.1. Общие сведения о БТИЗ

6.2. Конструкция и принцип действия БТИЗ

6.3. Основные параметры БТИЗ

7. ТИРИСТОРЫ

7.1. Общая информация о тиристорах

7.2. Динисторы

7.3. Тринисторы

7.4. Запираемые тиристоры

7.5. Симисторы

7.6. Фототиристоры

7.7. Основные параметры тиристоров

8. ВАКУУМНЫЕ И ИОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

8.1. Общие сведения об электровакуумных приборах

8.2. Электровакуумные диоды

8.2.1. Конструкция и принцип действия электровакуумных диодов

8.2.2. Основные параметры и анодная характеристика электровакуумных диодов

8.3. Триоды

8.3.1. Конструкция и принцип действия триодов

8.3.2. Основные характеристики и параметры триодов

8.4. Тетроды

8.4.1. О тетродах и влиянии экранирующих сеток на их параметры

8.4.2. Динатронный эффект

8.5. Лучевые тетроды

8.6. Пентоды

8.7. Лампы бегущей волны

8.8. Лампы обратной волны

8.9. Пролётные клистроны

8.10. Магнетроны

8.11. Мазеры

8.12. Тиратроны

8.13. Крайтроны и спрайтроны

9. ВВЕДЕНИЕ В МИКРОЭЛЕКТРОНИКУ

9.1. Интегральные микросхемы

9.2. Плёночные микросхемы

9.3. Гибридные интегральные микросхемы

9.4. Полупроводниковые микросхемы

10. УСТРОЙСТВА ОТОБРАЖЕНИЯ ИНФОРМАЦИИ

10.1. Индикаторы

10.1.1. Светодиодные индикаторы

10.1.2. Жидкокристаллические индикаторы

10.2. Общие сведения об электронно-лучевых трубках

10.3. Жидкокристаллические дисплеи и панели

10.3.1. Общие сведения о жидкокристаллических дисплеях

10.3.2. Электролюминесцентная подсветка жидкокристаллических дисплеев

10.3.3. Светодиодная подсветка жидкокристаллических дисплеев

10.3.4. Время отклика жидкокристаллических дисплеев и влияние температуры на их работу

10.4. Плазменные панели

10.5. Органические светодиодные дисплеи

10.6. Дисплеи на углеродных нанотрубках

10.7. Сенсорные экраны и классификация их типов

10.8. Голографические системы

11. АНАЛОГОВЫЕ УСТРОЙСТВА

11.1. Усилители сигналов и их классификация

11.2. Основные параметры и характеристики усилителей

11.2.1. Основные параметры усилителей

11.2.2. Важнейшие характеристики усилителей

11.3. Работа простейшего усилителя на различных частотах

11.4. Выходные усилительные каскады

11.4.1. Однотактный трансформаторный каскад

11.4.2. Двухтактный трансформаторный каскад

11.4.3. Двухтактный бестрансформаторный каскад

11.5. Основные сведения о режимах работы усилителей

11.5.1. Проходная динамическая характеристика и общие сведения о классах усиления

11.5.2. Режим работы класса A

11.5.3. Режим работы класса B

11.5.4. Режим работы класса AB

11.5.5. Режим работы класса C

11.5.6. Режим работы класса D

11.6. Сведения об обратных связях и о влиянии, которое они оказывают на работу усилителей

11.6.1. Основная информация об обратных связях

11.6.2. Влияние обратных связей на коэффициенты усиления каскадов

11.7. Автогенераторы

11.8. Усилители постоянного тока

11.8.1. Усилитель постоянного тока с непосредственными связями

11.8.2. Дифференциальный усилитель

11.8.3. Операционные усилители

11.8.4. Обзор некоторых параметров операционных усилителей

Скачать — http://www.moskatov.narod.ru/Electronic_technics.html

*** Сайт rcl-radio.ru не содержит в своем архиве данную книгу, при нажатии Скачать происходит переход на сайт автора.

Добавить комментарий

Случайные статьи

  • Бинауральный преобразователь

    Бинауральный преобразователь

    Бинауральный преобразователь — устройство значительно снижающее эффект локализации кажущихся источников звука в голове слушателя и уменьшает неестественное резкое разделение каналов, что обычно возникает при прослушивании стерео фонограмм через стерео телефоны(наушники). Такой преобразователь приближает качество воспроизведения через головные телефоны к качеству воспроизведения через АС. Характеристики бинауральный преобразователя: Номинальное входное напряжение 0,8В …Подробнее...
  • ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ ТРИОДНЫХ ТИРИСТОРОВ ТИПОВ КУ109А — КУ109Г

    Тип Наибольшее прямое напряжение, В КУ109А 700 КУ109Б 600 КУ109В 600 КУ109Г 500 Для тиристоров этого типа Ток в закрытом состоянии не более…… 0,7 мА Наибольшее постоянное обратное напряжение …. 50 В Постоянный отпирающий ток управления не более . . 0,1 А Постоянное отпирающее напряжение управления не более 3 В …Подробнее...
  • Выключатель света с задержкой

    Главная особенность выключателя с задержкой в том что после включения света, он гаснет через 1-2 минуты, такой выключатель целесообразно устанавливать в помещениях общего пользования, например в подъездах домов. Кнопку включения освещения целесообразно совместить с открыванием двери и каждый раз когда дверь будет открываться свет будет включаться и гореть 1-2 минуты, …Подробнее...
  • Вольтметр на ICL7135

    Схема вольтметра приведена на рисунке, она позволяет собрать вольтметр на 4,5 разряда на ICL7135 без использования других дефицитных деталей. Устройство можно использовать для замены модуля на КР572ПВ2, получив на один разряд индикации больше. Параметры вольтметра: Макс. измеряемое входное напряжение ±1,9999В Точность измерений от значения полной шкалы(допуск) — 0,0005% Разрешение 10 …Подробнее...
  • Цифровой вольтметр

    На данной станице представлена схема цифрового вольтметра, при все простоте он обладает большой точностью. Вольтметр основан на ИМС ICL 7107. Схема содержит минимум элементов которые необходимы для правильной работы микросхемы. Вольтметр способен измерять напряжение постоянного тока в диапазоне 0…±1999 В. Измеряемое постоянное напряжение подается на контакты 1 и 2 платы, …Подробнее...