| Ваш IP: 54.158.198.141 | Online(38) - гости: 26, боты: 12 | Загрузка сервера: 3.84 ::::::::::::

Электронная техника. Начало

На данной странице приведена информация о книге «Электронная техника. Начало». В ней в доступной форме описано устройство и принцип действия некоторых компонентов и распространённых электрических цепей. Материал книги изложен кратко, а дополнительную информацию читатели смогут найти в изданиях, внесённых в список литературы.

Содержание книги

ПРЕДИСЛОВИЕ

1. ПРОСТЕЙШИЕ КОМПОНЕНТЫ

1.1. Резисторы

1.2. Варисторы и негисторы

1.3. Терморезисторы

1.4. Конденсаторы

1.5. Ионисторы

1.6. Моточные компоненты

1.6.1. Катушки индуктивности и дроссели

1.6.2. Трансформаторы и пьезотрансформаторы

2. ПОЛУПРОВОДНИКИ И ПЕРЕХОДЫ

2.1. Общие сведения об электропроводности веществ

2.1.1. Диэлектрики, проводники, сверхпроводники и полупроводники

2.1.2. Носители заряда. Проводимости полупроводников: собственная и примесная

2.1.3. Диапазоны энергий и распределение носителей заряда в них

2.2. Электронно-дырочный переход

2.2.1. Получение электронно-дырочного перехода

2.2.2. Прямое и обратное включения электронно-дырочных переходов

2.2.3. Ёмкости и частотные свойства электронно-дырочных переходов

2.2.4. Пробои электронно-дырочных переходов

2.3. Переход и диод Шоттки: получение и включения в прямом и обратном направлении

2.4. Гетеропереходы

2.5. Эффекты полупроводников

2.5.1. Эффект Ганна

2.5.2. Эффект поля

2.5.3. Эффект Суля

2.5.4. Эффекты Пельтье и Зеебека

2.5.5. Туннельный эффект

2.5.6. Эффект Холла

3. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДИОДЫ

3.1. Конструкция и основные параметры полупроводниковых диодов

3.1.1. Общие сведения о полупроводниковых диодах

3.1.2. Конструкции и простейшие способы изготовления полупроводниковых диодов

3.1.3. Некоторые основные параметры полупроводниковых диодов

3.2. Выпрямительные диоды

3.3. Импульсные диоды

3.4. Варикапы

3.5. Стабилитроны и стабисторы

3.6. Светодиоды

3.7. Полупроводниковые лазеры

3.8. Фотодиоды

4. БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ

4.1. Общие сведения о транзисторах

4.2. Конструкция некоторых биполярных транзисторов

4.3. Принцип действия биполярных транзисторов

4.4. Схемы включения биполярных транзисторов

4.4.1. Схема включения транзистора с общим эмиттером

4.4.2. Схема включения транзистора с общим коллектором

4.4.3. Схема включения транзистора с общей базой

4.5. Биполярные фототранзисторы

4.6. Влияние частоты на усилительные свойства биполярных транзисторов

4.7. Влияние температуры на режимы работы биполярных транзисторов

5. ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ

5.1. Общие сведения о полевых транзисторах

5.2. Полевые транзисторы с управляющим переходом

5.2.1. Конструкция полевых транзисторов с управляющим переходом

5.2.2. Принцип действия полевых транзисторов с управляющим переходом

5.3. Полевые транзисторы с изолированным затвором

5.3.1. Полевые транзисторы со встроенным каналом

5.3.2. Полевые транзисторы с индуцированным каналом

5.4. Режимы работы полевых транзисторов

5.4.1. Динамический режим работы транзистора

5.4.2. Ключевой режим работы транзистора

6. БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ С ИЗОЛИРОВАННЫМИ ЗАТВОРАМИ

6.1. Общие сведения о БТИЗ

6.2. Конструкция и принцип действия БТИЗ

6.3. Основные параметры БТИЗ

7. ТИРИСТОРЫ

7.1. Общая информация о тиристорах

7.2. Динисторы

7.3. Тринисторы

7.4. Запираемые тиристоры

7.5. Симисторы

7.6. Фототиристоры

7.7. Основные параметры тиристоров

8. ВАКУУМНЫЕ И ИОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

8.1. Общие сведения об электровакуумных приборах

8.2. Электровакуумные диоды

8.2.1. Конструкция и принцип действия электровакуумных диодов

8.2.2. Основные параметры и анодная характеристика электровакуумных диодов

8.3. Триоды

8.3.1. Конструкция и принцип действия триодов

8.3.2. Основные характеристики и параметры триодов

8.4. Тетроды

8.4.1. О тетродах и влиянии экранирующих сеток на их параметры

8.4.2. Динатронный эффект

8.5. Лучевые тетроды

8.6. Пентоды

8.7. Лампы бегущей волны

8.8. Лампы обратной волны

8.9. Пролётные клистроны

8.10. Магнетроны

8.11. Мазеры

8.12. Тиратроны

8.13. Крайтроны и спрайтроны

9. ВВЕДЕНИЕ В МИКРОЭЛЕКТРОНИКУ

9.1. Интегральные микросхемы

9.2. Плёночные микросхемы

9.3. Гибридные интегральные микросхемы

9.4. Полупроводниковые микросхемы

10. УСТРОЙСТВА ОТОБРАЖЕНИЯ ИНФОРМАЦИИ

10.1. Индикаторы

10.1.1. Светодиодные индикаторы

10.1.2. Жидкокристаллические индикаторы

10.2. Общие сведения об электронно-лучевых трубках

10.3. Жидкокристаллические дисплеи и панели

10.3.1. Общие сведения о жидкокристаллических дисплеях

10.3.2. Электролюминесцентная подсветка жидкокристаллических дисплеев

10.3.3. Светодиодная подсветка жидкокристаллических дисплеев

10.3.4. Время отклика жидкокристаллических дисплеев и влияние температуры на их работу

10.4. Плазменные панели

10.5. Органические светодиодные дисплеи

10.6. Дисплеи на углеродных нанотрубках

10.7. Сенсорные экраны и классификация их типов

10.8. Голографические системы

11. АНАЛОГОВЫЕ УСТРОЙСТВА

11.1. Усилители сигналов и их классификация

11.2. Основные параметры и характеристики усилителей

11.2.1. Основные параметры усилителей

11.2.2. Важнейшие характеристики усилителей

11.3. Работа простейшего усилителя на различных частотах

11.4. Выходные усилительные каскады

11.4.1. Однотактный трансформаторный каскад

11.4.2. Двухтактный трансформаторный каскад

11.4.3. Двухтактный бестрансформаторный каскад

11.5. Основные сведения о режимах работы усилителей

11.5.1. Проходная динамическая характеристика и общие сведения о классах усиления

11.5.2. Режим работы класса A

11.5.3. Режим работы класса B

11.5.4. Режим работы класса AB

11.5.5. Режим работы класса C

11.5.6. Режим работы класса D

11.6. Сведения об обратных связях и о влиянии, которое они оказывают на работу усилителей

11.6.1. Основная информация об обратных связях

11.6.2. Влияние обратных связей на коэффициенты усиления каскадов

11.7. Автогенераторы

11.8. Усилители постоянного тока

11.8.1. Усилитель постоянного тока с непосредственными связями

11.8.2. Дифференциальный усилитель

11.8.3. Операционные усилители

11.8.4. Обзор некоторых параметров операционных усилителей

Скачать — http://www.moskatov.narod.ru/Electronic_technics.html

*** Сайт rcl-radio.ru не содержит в своем архиве данную книгу, при нажатии Скачать происходит переход на сайт автора.

Добавить комментарий

Случайные статьи

  • Простой усилитель для звуковой карты ПК

    Простой усилитель для звуковой карты ПК

    Данный усилитель подойдет в качестве усилителя для звуковой карты компьютера, маленького радиоприемника. Максимальная мощность усилителя 2Вт. Он содержит минимум элементов и прост в настройке. Источник —  http://www.techlib.com/electronics/audioamps.htmlПодробнее...
  • УМЗЧ 2х12Вт на ИМС TDA2616

    УМЗЧ 2х12Вт на ИМС TDA2616

    На микросхеме TDA2616 можно собрать простой и качественный усилитель мощности звуковой частоты. Выходная мощность усилителя 12Вт на канал (+\-16В) при сопротивлении нагрузки 8 Ом, при этом КНИ не превышает 0,5%. Технические характеристики усилителя: Минимальное напряжение питания 7,5В Максимальное напряжение питания 21В Максимальная выходная мощность 12Вт на канал Сопротивление нагрузки 8 …Подробнее...
  • Пороговый шумоподавитель на микросхемах

    Пороговый шумоподавитель на микросхемах

    Работа пороговых шумоподавителей основана на принципе автоматического уменьшения усиления в тракте воспроизведения в паузах, когда шумы проявляются наиболее сильно. Для определения паузы используется различие уровней сигнала и шума. Порог срабатывания обычно устанавливают вручную таким, чтобы уменьшение шума не сопровождалось заметным снижением уровня слабых сигналов. Основные технические характеристики порогового шумоподавителя, выполненного …Подробнее...
  • FM передатчик на MAX2606

    Простой FM — передатчик схема которого показана на рисунке способен передавать радиосигнал на любой радиоприемник FM — диапазона. Источником НЧ сигнала может быть MP3 плеер. На микросхеме MAX2606 построен передатчик со встроенным варикапом. Частота генератора передатчика управляется напряжением подаваемым на вход 3 микросхемы MAX2606. Номинальная частота передатчика от 70 до …Подробнее...
  • Зарядное устройство мобильного телефона LG (принципиальная схема и ремонт)

    Зарядное устройство (ЗУ) типа BML 162089 R1A южно азиатского производства предназначено для зарядки аккумуляторов мобильных телефонов LG и имеет следующие характеристики: Uвход ~100…250 B, Iвход~160 мA, Uвых=8,5 В, Iвых=750 мA. Его внешний вид показан на рис.1. Все радиоэлементы смонтированы на стекло пластиковом шасси НТ608 размерами 64×33 мм методом навесного монтажа …Подробнее...