Онлайн справочник - IGBT транзисторы
Поиск по справочнику
rcl-radio.ru | Основные параметры IGBT транзистора APT33GF120B2RDОсновные параметры IGBT транзистора APT33GF120B2RD
- Структура (технология): IGBT
- Тип канала: N-Channel
- Максимальная рассеиваемая мощность коллектора (Pc max): 300W
- Предельное постоянное напряжение коллектор - эмиттер (Uce max): 1200V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.7V
- Предельное постоянное напряжение коллектор - затвор (Ucg max): 1200V
- Предельное постоянное напряжение эмиттер - затвор (Ueb max): ±20V
- Предельный постоянный ток коллектора (Ic max): 33A
- Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
- Время включения/выключения (Fr): 30/155nS
- Типовое значение емкости коллектора (Cc tip): 2200pF
- Производитель: Advanced Power
- Тип корпуса: TMAX
- Найти datasheet
Похожие по параметрам:
| Транз. | Канал | Pd max | Uce max | Ucesat | Ucg max | Ueb max | Id max | Fr | Cc tip | Корпус| APT33GF120LRD | N-Channel | 300W | 1200V | 2.7V | 1200V | ±20V | 33A | 30/155nS | 2200pF | TO264 | |
|
| |
| |
Просмотров: 310 014