| Ваш IP: 3.148.108.144 | Online(71) - гости: 12, боты: 59 | Загрузка сервера: 1.86 ::::::::::::
rcl-radio.ru | Основные параметры IGBT транзистора APT30GT60KR
Онлайн справочник - IGBT транзисторы
Поиск по справочнику
Основные параметры IGBT транзистора APT30GT60KR

  • Структура (технология): IGBT
  • Тип канала: N-Channel
  • Максимальная рассеиваемая мощность коллектора (Pc max): 250W
  • Предельное постоянное напряжение коллектор - эмиттер (Uce max): 600V
  • Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2V
  • Предельное постоянное напряжение коллектор - затвор (Ucg max): 600V
  • Предельное постоянное напряжение эмиттер - затвор (Ueb max): ±20V
  • Предельный постоянный ток коллектора (Ic max): 58A
  • Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
  • Время включения/выключения (Fr): 14/190nS
  • Типовое значение емкости коллектора (Cc tip): 1600pF
  • Производитель: Advanced Power
  • Тип корпуса: TO220
  • Найти datasheet
Поиск по параметрам:
Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска.
Пустые поля будут игнорироваться при поиске.
Тип каналаPc (W)Uce (V)Ucesat (V)Ucg (V)Id (A)Разброс поискаПоказывать по
Похожие по параметрам:
Транз.КаналPd maxUce maxUcesatUcg maxUeb maxId maxFrCc tipКорпус
HGTG27N60C3RN-Channel208W600V2.2V600V±20V54A38/250nSTO247
IXSH30N60N-Channel200W600V2.5V600V±20V50A60/400nS2760pFTO247
IXSH30N60CD1N-Channel200W600V2.5V600V±20V55A30/90nS3100pFTO247
IXSH30N60U1N-Channel200W600V2.5V600V±20V50A60/400nS2760pFTO247
IXSK30N60CD1N-Channel250W600V2.5V600V±20V55A30/90nS3100pFTO264
IXST30N60CD1N-Channel250W600V2.5V600V±20V55A30/90nS3100pFDPAK
MSAGX60F60AN-Channel300W600V2.9V600V±20V60A25/250nS2500pFCOOLPACK
MSAHX60F60AN-Channel300W600V2.9V600V±20V60A25/250nS2500pFCOOLPACK
STGY50NB60HDN-Channel250W600V2.8V600V±20V50A20/70nS4500pFTMAX
IXSM30N60N-Channel200W600V2.5V600V±20V50A60/400nS2760pFTO3
27N60C3RN-Channel208W600V2.2V600V±20V54A38/250nSTO247
TA49048N-Channel208W600V2.2V600V±20V54A38/250nSTO247
Просмотров: 309 379