Дата: 4/6/2025 | Время: 8:11:16 PM
| Ваш IP: 52.14.114.234 | Online(27) - гости: 8, боты: 19 | Загрузка сервера: 0.59 ::::::::::::
rcl-radio.ru | Основные параметры IGBT транзистора MSAGX75L60B
Онлайн справочник - IGBT транзисторы
Поиск по справочнику
|
Основные параметры IGBT транзистора MSAGX75L60B
- Структура (технология): IGBT
- Тип канала: N-Channel
- Максимальная рассеиваемая мощность коллектора (Pc max): 300W
- Предельное постоянное напряжение коллектор - эмиттер (Uce max): 600V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.8V
- Предельное постоянное напряжение коллектор - затвор (Ucg max): 600V
- Предельное постоянное напряжение эмиттер - затвор (Ueb max): ±20V
- Предельный постоянный ток коллектора (Ic max): 75A
- Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
- Время включения/выключения (Fr): 50/1000nS
- Типовое значение емкости коллектора (Cc tip): 4000pF
- Производитель: MICROSEMI
- Тип корпуса: COOLPACK
- Найти datasheet
Похожие по параметрам:
| Транз. | Канал | Pd max | Uce max | Ucesat | Ucg max | Ueb max | Id max | Fr | Cc tip | Корпус | | IXGH60N60 | N-Channel | 300W | 600V | 1.6V | 600V | ±20V | 75A | 50/300nS | | TO247 | | IXGK60N60 | N-Channel | 300W | 600V | 1.6V | 600V | ±20V | 75A | 50/400nS | | TO264 | | IXGT60N60 | N-Channel | 300W | 600V | 1.6V | 600V | ±20V | 75A | 50/400nS | | DPAK | | MSAGX75L60A | N-Channel | 300W | 600V | 1.8V | 600V | ±20V | 75A | 50/1000nS | 4000pF | COOLPACK | | MSAHX75L60C | N-Channel | 300W | 600V | 1.8V | 600V | ±20V | 75A | 50/1000nS | 4000pF | COOLPACK | |
|
|
|
Просмотров: 321 366