| Ваш IP: 3.144.244.44 | Online(23) - гости: 12, боты: 10 | Загрузка сервера: 1.95 ::::::::::::
rcl-radio.ru | Основные параметры IGBT транзистора IXGH60N60
Онлайн справочник - IGBT транзисторы
Поиск по справочнику
Основные параметры IGBT транзистора IXGH60N60

  • Структура (технология): IGBT
  • Тип канала: N-Channel
  • Максимальная рассеиваемая мощность коллектора (Pc max): 300W
  • Предельное постоянное напряжение коллектор - эмиттер (Uce max): 600V
  • Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.6V
  • Предельное постоянное напряжение коллектор - затвор (Ucg max): 600V
  • Предельное постоянное напряжение эмиттер - затвор (Ueb max): ±20V
  • Предельный постоянный ток коллектора (Ic max): 75A
  • Предельная температура p-n перехода (Tj max): 175°C
  • Время включения/выключения (Fr): 50/300nS
  • Производитель: IXYS
  • Тип корпуса: TO247
  • Найти datasheet
Поиск по параметрам:
Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска.
Пустые поля будут игнорироваться при поиске.
Тип каналаPc (W)Uce (V)Ucesat (V)Ucg (V)Id (A)Разброс поискаПоказывать по
Похожие по параметрам:
Транз.КаналPd maxUce maxUcesatUcg maxUeb maxId maxFrCc tipКорпус
IXGK60N60N-Channel300W600V1.6V600V±20V75A50/400nSTO264
IXGT60N60N-Channel300W600V1.6V600V±20V75A50/400nSDPAK
MSAGX75L60AN-Channel300W600V1.8V600V±20V75A50/1000nS4000pFCOOLPACK
MSAHX75L60CN-Channel300W600V1.8V600V±20V75A50/1000nS4000pFCOOLPACK
MSAGX75L60BN-Channel300W600V1.8V600V±20V75A50/1000nS4000pFCOOLPACK
Просмотров: 295 099