Дата: 4/6/2025 | Время: 7:59:00 PM
| Ваш IP: 18.222.197.132 | Online(30) - гости: 9, боты: 21 | Загрузка сервера: 0.71 ::::::::::::
rcl-radio.ru | Основные параметры IGBT транзистора HGTD8P50G1S
Онлайн справочник - IGBT транзисторы
Поиск по справочнику
|
Основные параметры IGBT транзистора HGTD8P50G1S
- Структура (технология): IGBT
- Тип канала: P-Channel
- Максимальная рассеиваемая мощность коллектора (Pc max): 66W
- Предельное постоянное напряжение коллектор - эмиттер (Uce max): 500V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.5V
- Предельное постоянное напряжение коллектор - затвор (Ucg max): 500V
- Предельное постоянное напряжение эмиттер - затвор (Ueb max): ±20V
- Предельный постоянный ток коллектора (Ic max): 3A
- Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
- Время включения/выключения (Fr): 45/450nS
- Производитель: HARRIS
- Тип корпуса: DPAK
- Найти datasheet
Похожие по параметрам:
| Транз. | Канал | Pd max | Uce max | Ucesat | Ucg max | Ueb max | Id max | Fr | Cc tip | Корпус | | HGTD8P50G1 | P-Channel | 66W | 500V | 2.5V | 500V | ±20V | 3A | 45/450nS | | IPAK | | G8P50G | P-Channel | 66W | 500V | 2.5V | 500V | ±20V | 3A | 45/450nS | | DPAK | | HGTD8P50G1S9A | P-Channel | 66W | 500V | 2.5V | 500V | ±20V | 3A | 45/450nS | | DPAK | | TA49015 | P-Channel | 66W | 500V | 2.5V | 500V | ±20V | 3A | 45/450nS | | DPAK | |
|
|
|
Просмотров: 321 355