| Ваш IP: 3.149.214.223 | Online(58) - гости: 11, боты: 47 | Загрузка сервера: 0.37 ::::::::::::
rcl-radio.ru | Основные параметры IGBT транзистора HGTD8P50G1
Онлайн справочник - IGBT транзисторы
Поиск по справочнику
Основные параметры IGBT транзистора HGTD8P50G1

  • Структура (технология): IGBT
  • Тип канала: P-Channel
  • Максимальная рассеиваемая мощность коллектора (Pc max): 66W
  • Предельное постоянное напряжение коллектор - эмиттер (Uce max): 500V
  • Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.5V
  • Предельное постоянное напряжение коллектор - затвор (Ucg max): 500V
  • Предельное постоянное напряжение эмиттер - затвор (Ueb max): ±20V
  • Предельный постоянный ток коллектора (Ic max): 3A
  • Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
  • Время включения/выключения (Fr): 45/450nS
  • Производитель: HARRIS
  • Тип корпуса: IPAK
  • Найти datasheet
Поиск по параметрам:
Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска.
Пустые поля будут игнорироваться при поиске.
Тип каналаPc (W)Uce (V)Ucesat (V)Ucg (V)Id (A)Разброс поискаПоказывать по
Похожие по параметрам:
Транз.КаналPd maxUce maxUcesatUcg maxUeb maxId maxFrCc tipКорпус
HGTD8P50G1SP-Channel66W500V2.5V500V±20V3A45/450nSDPAK
G8P50GP-Channel66W500V2.5V500V±20V3A45/450nSDPAK
HGTD8P50G1S9AP-Channel66W500V2.5V500V±20V3A45/450nSDPAK
TA49015P-Channel66W500V2.5V500V±20V3A45/450nSDPAK
Просмотров: 309 360