Онлайн справочник - IGBT транзисторы
Поиск по справочнику
rcl-radio.ru | Основные параметры IGBT транзистора G30N60C3Основные параметры IGBT транзистора G30N60C3
- Структура (технология): IGBT
- Тип канала: N-Channel
- Максимальная рассеиваемая мощность коллектора (Pc max): 208W
- Предельное постоянное напряжение коллектор - эмиттер (Uce max): 600V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.8V
- Предельное постоянное напряжение коллектор - затвор (Ucg max): 600V
- Предельное постоянное напряжение эмиттер - затвор (Ueb max): ±20V
- Предельный постоянный ток коллектора (Ic max): 63A
- Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
- Время включения/выключения (Fr): 40/320nS
- Производитель: INTERSIL
- Тип корпуса: TO247
- Найти datasheet
Похожие по параметрам:
Транз. | Канал | Pd max | Uce max | Ucesat | Ucg max | Ueb max | Id max | Fr | Cc tip | КорпусHGTG27N60C3DR | N-Channel | 208W | 600V | 1.8V | 600V | ±20V | 54A | 38/250nS | | TO247 | HGTG30N60C3 | N-Channel | 208W | 600V | 1.8V | 600V | ±20V | 63A | 40/320nS | | TO247 | HGTG30N60C3D | N-Channel | 208W | 600V | 1.8V | 600V | ±20V | 63A | 40/320nS | | TO247 | G30N60C3D | N-Channel | 208W | 600V | 1.8V | 600V | ±20V | 63A | 40/320nS | | TO247 | 27N60C3DR | N-Channel | 208W | 600V | 1.8V | 600V | ±20V | 54A | 38/250nS | | TO247 | |
|
|
| |
Просмотров: 309 408