Дата: 4/19/2025 | Время: 11:52:48 PM
| Ваш IP: 13.59.46.202 | Online(27) - гости: боты: 27 | Загрузка сервера: 0.39 ::::::::::::
rcl-radio.ru | Основные параметры IGBT транзистора STGP7NB60HD
Онлайн справочник - IGBT транзисторы
Поиск по справочнику
|
Основные параметры IGBT транзистора STGP7NB60HD
- Структура (технология): IGBT
- Тип канала: N-Channel
- Максимальная рассеиваемая мощность коллектора (Pc max): 80W
- Предельное постоянное напряжение коллектор - эмиттер (Uce max): 600V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.8V
- Предельное постоянное напряжение коллектор - затвор (Ucg max): 600V
- Предельное постоянное напряжение эмиттер - затвор (Ueb max): ±20V
- Предельный постоянный ток коллектора (Ic max): 7A
- Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
- Время включения/выключения (Fr): 15/48nS
- Типовое значение емкости коллектора (Cc tip): 560pF
- Производитель: STE
- Тип корпуса: TO220
- Найти datasheet
Похожие по параметрам:
| Транз. | Канал | Pd max | Uce max | Ucesat | Ucg max | Ueb max | Id max | Fr | Cc tip | Корпус | | MGP7N60E | N-Channel | 81W | 600V | 2V | 600V | ±20V | 7A | 22/64nS | 610pF | TO220 | | STGB3NB60HD | N-Channel | 70W | 600V | 2.8V | 600V | ±20V | 6A | 16/30nS | 235pF | DPAK | |
|
|
|
Просмотров: 322 913