| Ваш IP: 3.137.164.229 | Online(58) - гости: 10, боты: 48 | Загрузка сервера: 2.03 ::::::::::::
rcl-radio.ru | Основные параметры IGBT транзистора STGD7NB60H
Онлайн справочник - IGBT транзисторы
Поиск по справочнику
Основные параметры IGBT транзистора STGD7NB60H

  • Структура (технология): IGBT
  • Тип канала: N-Channel
  • Максимальная рассеиваемая мощность коллектора (Pc max): 55W
  • Предельное постоянное напряжение коллектор - эмиттер (Uce max): 600V
  • Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.8V
  • Предельное постоянное напряжение коллектор - затвор (Ucg max): 600V
  • Предельное постоянное напряжение эмиттер - затвор (Ueb max): ±20V
  • Предельный постоянный ток коллектора (Ic max): 7A
  • Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
  • Время включения/выключения (Fr): 15/48nS
  • Типовое значение емкости коллектора (Cc tip): 560pF
  • Производитель: STE
  • Тип корпуса: DPAK
  • Найти datasheet
Поиск по параметрам:
Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска.
Пустые поля будут игнорироваться при поиске.
Тип каналаPc (W)Uce (V)Ucesat (V)Ucg (V)Id (A)Разброс поискаПоказывать по
Похожие по параметрам:
Транз.КаналPd maxUce maxUcesatUcg maxUeb maxId maxFrCc tipКорпус
IRG4IBC30WN-Channel45W600V2.1V600V±20V8.4A75-150KHz980pFISO220
HGTD6N50E1SN-Channel60W500V2.5V500V±20V7.5A90/24nSDPAK
HGTD6N50E1N-Channel60W500V2.5V500V±20V7.5A90/24nSIPAK
G6N50EN-Channel60W500V2.5V500V±20V7.5A90/24nSDPAK
Просмотров: 309 804