| Ваш IP: 3.148.108.144 | Online(75) - гости: 15, боты: 60 | Загрузка сервера: 1.71 ::::::::::::
rcl-radio.ru | Основные параметры IGBT транзистора STGB30NB60H
Онлайн справочник - IGBT транзисторы
Поиск по справочнику
Основные параметры IGBT транзистора STGB30NB60H

  • Структура (технология): IGBT
  • Тип канала: N-Channel
  • Максимальная рассеиваемая мощность коллектора (Pc max): 190W
  • Предельное постоянное напряжение коллектор - эмиттер (Uce max): 600V
  • Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.8V
  • Предельное постоянное напряжение коллектор - затвор (Ucg max): 600V
  • Предельное постоянное напряжение эмиттер - затвор (Ueb max): ±20V
  • Предельный постоянный ток коллектора (Ic max): 30A
  • Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
  • Время включения/выключения (Fr): 15/75nS
  • Типовое значение емкости коллектора (Cc tip): 2300pF
  • Производитель: STE
  • Тип корпуса: TO247
  • Найти datasheet
Поиск по параметрам:
Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска.
Пустые поля будут игнорироваться при поиске.
Тип каналаPc (W)Uce (V)Ucesat (V)Ucg (V)Id (A)Разброс поискаПоказывать по
Похожие по параметрам:
Транз.КаналPd maxUce maxUcesatUcg maxUeb maxId maxFrCc tipКорпус
STGW30NB60HDN-Channel190W600V2.8V600V±20V30A15/35nS2300pFTO247
MGW30N60N-Channel202W600V2.2V600V±20V30A76/348nS4280pFTO247
Просмотров: 309 572