Дата: 4/13/2025 | Время: 3:51:31 AM
| Ваш IP: 18.218.183.7 | Online(32) - гости: 4, боты: 28 | Загрузка сервера: 0.33 ::::::::::::
rcl-radio.ru | Основные параметры IGBT транзистора STGB30NB60H
Онлайн справочник - IGBT транзисторы
Поиск по справочнику
|
Основные параметры IGBT транзистора STGB30NB60H
- Структура (технология): IGBT
- Тип канала: N-Channel
- Максимальная рассеиваемая мощность коллектора (Pc max): 190W
- Предельное постоянное напряжение коллектор - эмиттер (Uce max): 600V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.8V
- Предельное постоянное напряжение коллектор - затвор (Ucg max): 600V
- Предельное постоянное напряжение эмиттер - затвор (Ueb max): ±20V
- Предельный постоянный ток коллектора (Ic max): 30A
- Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
- Время включения/выключения (Fr): 15/75nS
- Типовое значение емкости коллектора (Cc tip): 2300pF
- Производитель: STE
- Тип корпуса: TO247
- Найти datasheet
Похожие по параметрам:
| Транз. | Канал | Pd max | Uce max | Ucesat | Ucg max | Ueb max | Id max | Fr | Cc tip | Корпус | | STGW30NB60HD | N-Channel | 190W | 600V | 2.8V | 600V | ±20V | 30A | 15/35nS | 2300pF | TO247 | | MGW30N60 | N-Channel | 202W | 600V | 2.2V | 600V | ±20V | 30A | 76/348nS | 4280pF | TO247 | |
|
|
|
Просмотров: 321 841