| Ваш IP: 18.119.108.233 | Online(40) - гости: 4, боты: 36 | Загрузка сервера: 1.21 ::::::::::::
rcl-radio.ru | Основные параметры биполярного транзистора 2N1432
Онлайн справочник - Биполярные транзисторы
Поиск по справочнику

Основные параметры биполярного транзистора 2N1432

  • Материал: Ge
  • Структура: pnp
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 100mW
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 45V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 10mA
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 75°C
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100MHz
  • Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 30 (min)
  • Емкость коллекторного перехода (Cc): 3 pF
  • Производитель: SYL
  • Корпус: TO92
  • Найти datasheet

Поиск по параметрам:
Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска.
Пустые поля будут игнорироваться при поиске.

Струк.Pк max (W)Uкб (V)Uкэ (V)Uэб (V)Iк (A)ft (MHz)Разброс поискаПоказывать по
Похожие по параметрам:
Транз.Матер.Струк.PkUкбUкэUэбfthfeКорпус
2N1023 Gepnp120mW40V--10mA50MHz9 (min) TO33-1
2N1285 Gepnp120mW40V--10mA50MHz30 ... 100TO33-1
2N1395 Gepnp120mW40V--10mA12MHz50 ... 175TO33-1
2N1396 Gepnp120mW40V--10mA12MHz50 ... 175TO33-1
2N1397 Gepnp120mW40V--10mA12MHz50 ... 175TO33-1
2N2496 Gepnp100mW40V--10mA135MHz25 (min) TO72
2SA249 Gepnp110mW40V--10mA20MHz30 (min) TO1
2SA298 Gepnp80mW40V--10mA15MHz55TO44-2
2SA306 Gepnp80mW40V--10mA25MHz65TO44-2
2SA307 Gepnp80mW40V--10mA35MHz70TO44-2
40004 Gepnp100mW40V--10mA30MHz40 (min) R77
40005 Gepnp100mW40V--10mA100MHz40 (min) R77
40006 Gepnp100mW40V--10mA130MHz40 (min) R77
40261 Gepnp80mW50V-##10mA40MHz80TO1
BD288 Sipnp100W45V--12A50MHz25 (min) TO126
Просмотров: 3 071 864