Онлайн справочник - Биполярные транзисторы
Поиск по справочнику
rcl-radio.ru | Основные параметры биполярного транзистора 2SA32Основные параметры биполярного транзистора 2SA32
- Материал: Ge
- Структура: pnp
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 100mW
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 20V
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 10V
- Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 10V
- Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 50mA
- Предельная температура PN-перехода (Tj): 75°C
- Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4MHz
- Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 65
- Емкость коллекторного перехода (Cc): 15 pF
- Производитель: FUJITSU
- Корпус: TO1
- Найти datasheet
Похожие по параметрам:
| Транз. | Матер. | Струк. | Pk | Uкб | Uкэ | Uэб | Iк | ft | hfe | Корпус| 2SA64 |
Ge | pnp | 80mW | 16V | 12V | 9V | 40mA | 6MHz | 65 | TO1 | | 2SB335 |
Ge | pnp | 83mW | 20V | 12V | 10V | 60mA | 400KHz | 70 | TO1 | | 2SB336 |
Ge | pnp | 83mW | 20V | 12V | 10V | 60mA | 400KHz | 80 | TO1 | | AFY15 |
Ge | pnp | 100mW | 22V | 12V | 8V | 50mA | 8MHz | 30 (min) | TO18 | | AFY15GN |
Ge | pnp | 100mW | 22V | 12V | 8V | 50mA | 8MHz | 80 ... 150 | TO18 | | AFY15R |
Ge | pnp | 100mW | 22V | 12V | 8V | 50mA | 8MHz | 30 ... 65 | TO18 | | AFY15V |
Ge | pnp | 100mW | 22V | 12V | 8V | 50mA | 8MHz | 120 (min) | TO18 | | OC602 |
Ge | pnp | 80mW | 22V | 12V | 10V | 50mA | 300KHz | 20 ... 50 | X01 | | OC603 |
Ge | pnp | 80mW | 22V | 12V | 10V | 50mA | 250KHz | 20 ... 150 | X01 | | OC604 |
Ge | pnp | 80mW | 22V | 12V | 10V | 50mA | 300KHz | 50 ... 150 | X01 | |
|
| |
| |
Просмотров: 2 521 911