Онлайн справочник - Биполярные транзисторы
Поиск по справочнику
rcl-radio.ru | Основные параметры биполярного транзистора 2SC4100PОсновные параметры биполярного транзистора 2SC4100P
- Материал: Si
- Структура: npn
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 200mW
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 30V
- Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 50mA
- Предельная температура PN-перехода (Tj): 150°C
- Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1.1GHz
- Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 82 ... 180
- Емкость коллекторного перехода (Cc): - pF
- Производитель: ROHM
- Корпус: SOT323
- Найти datasheet
Похожие по параметрам:
Транз. | Матер. | Струк. | Pk | Uкб | Uкэ | Uэб | Iк | ft | hfe | Корпус2SC3839 |
Si | npn | 180mW | 30V | - | - | 50mA | 2GHz | 40 ... 240 | TO236 | 2SC3881 |
Si | npn | 200mW | 30V | - | - | 50mA | 600MHz | 160 (min) | TO236 | 2SC4074 |
Si | npn | 200mW | 30V | - | ## | 50mA | 1.5GHz | 350 (min) | TO236 | 2SC4100M |
Si | npn | 200mW | 30V | - | - | 50mA | 1.1GHz | 39 ... 82 | SOT323 | 2SC4365 |
Si | npn | 200mW | 25V | - | - | 50mA | 3GHz | 120 (min) | TO236 | 2SC4463 |
Si | npn | 200mW | 30V | - | - | 50mA | 600MHz | 20 (min) | TO236 | 2SC4100N |
Si | npn | 200mW | 30V | - | - | 50mA | 1.1GHz | 39 ... 82 | SOT323 | |
|
|
| |
Просмотров: 3 121 883