| Ваш IP: 18.223.159.172 | Online(137) - гости: 119, боты: 18 | Загрузка сервера: 4.11 ::::::::::::
rcl-radio.ru | Основные параметры биполярного транзистора 2N511
Онлайн справочник - Биполярные транзисторы
Поиск по справочнику

Основные параметры биполярного транзистора 2N511

  • Материал: Ge
  • Структура: pnp
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 150W
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 40V
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 30V
  • Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 30V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 25A
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 100°C
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100KHz
  • Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 20 ... 60
  • Емкость коллекторного перехода (Cc): - pF
  • Производитель: TI
  • Корпус: TO3
  • Найти datasheet

Поиск по параметрам:
Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска.
Пустые поля будут игнорироваться при поиске.

Струк.Pк max (W)Uкб (V)Uкэ (V)Uэб (V)Iк (A)ft (MHz)Разброс поискаПоказывать по
Похожие по параметрам:
Транз.Матер.Струк.PkUкбUкэUэбfthfeКорпус
2N2156 Gepnp170W45V30V25V30A100KHz40 (min) TO36
2N2156A Gepnp170W45V30V25V30A100KHz40 (min) TO36
2N512 Gepnp150W40V30V30V25A100KHz20 ... 60TO3
2N513 Gepnp150W40V30V30V25A150KHz20 ... 60TO3
2N514 Gepnp150W40V30V30V25A200KHz20 ... 60TO3
Просмотров: 2 514 434