| Ваш IP: 3.145.91.152 | Online(56) - гости: 8, боты: 48 | Загрузка сервера: 1.36 ::::::::::::
rcl-radio.ru | Основные параметры биполярного транзистора T2172
Онлайн справочник - Биполярные транзисторы
Поиск по справочнику

Основные параметры биполярного транзистора T2172

  • Материал: Ge
  • Структура: pnp
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 150mW
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 30V
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 20V
  • Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 20V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 200mA
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 100°C
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 2MHz
  • Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 20 ... 150
  • Емкость коллекторного перехода (Cc): 24 pF
  • Производитель: PHILIPS
  • Корпус: TO5
  • Найти datasheet

Поиск по параметрам:
Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска.
Пустые поля будут игнорироваться при поиске.

Струк.Pк max (W)Uкб (V)Uкэ (V)Uэб (V)Iк (A)ft (MHz)Разброс поискаПоказывать по
Похожие по параметрам:
Транз.Матер.Струк.PkUкбUкэUэбfthfeКорпус
2G396 Gepnp150mW30V20V20V200mA4MHz30 (min) TO5
2N396A Gepnp150mW30V20V20V200mA4MHz30 ... 150TO5
T3002 Gepnp150mW30V20V20V200mA4MHz30 ... 150TO5
Просмотров: 3 080 819