| Ваш IP: 18.117.78.215 | Online(34) - гости: 15, боты: 19 | Загрузка сервера: 0.42 ::::::::::::
rcl-radio.ru | Основные параметры биполярного транзистора T1251
Онлайн справочник - Биполярные транзисторы
Поиск по справочнику

Основные параметры биполярного транзистора T1251

  • Материал: Ge
  • Структура: pnp
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 60mW
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 30V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 50mA
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 85°C
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 80MHz
  • Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 6 (min)
  • Емкость коллекторного перехода (Cc): 3 pF
  • Производитель: PHILIPS
  • Корпус: TO1
  • Найти datasheet

Поиск по параметрам:
Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска.
Пустые поля будут игнорироваться при поиске.

Струк.Pк max (W)Uкб (V)Uкэ (V)Uэб (V)Iк (A)ft (MHz)Разброс поискаПоказывать по
Похожие по параметрам:
Транз.Матер.Струк.PkUкбUкэUэбfthfeКорпус
2N1748 Gepnp60mW25V--50mA10MHz30 ... 150TO9
2N1748A Gepnp60mW25V--50mA10MHz50 (min) TO9
2N1788 Gepnp60mW35V--50mA20MHz50 (min) TO9
2N1789 Gepnp60mW35V--50mA20MHz20 (min) TO9
2N1790 Gepnp60mW35V--50mA20MHz40 (min) TO9
2N1866 Gepnp60mW35V--50mA30MHz40 (min) TO9
2N1867 Gepnp60mW35V--50mA30MHz10 (min) TO9
2S37 Gepnp50mW35V--50mA-70TO1
T1737 Gepnp60mW25V--50mA10MHz50 (min) TO9
T2019 Gepnp60mW25V--50mA10MHz30 ... 150TO9
T2021 Gepnp60mW35V--50mA20MHz50 (min) TO9
T2022 Gepnp60mW35V--50mA20MHz20 (min) TO9
T2023 Gepnp60mW35V--50mA20MHz40 (min) TO9
T2025 Gepnp60mW35V--50mA30MHz40 (min) TO9
T2026 Gepnp60mW35V--50mA30MHz10 (min) TO9
Просмотров: 3 113 364