Дата: 4/15/2025 | Время: 4:05:44 PM
| Ваш IP: 3.145.134.113 | Online(24) - гости: 10, боты: 14 | Загрузка сервера: 0.91 ::::::::::::
rcl-radio.ru | Основные параметры биполярного транзистора 2N112
Онлайн справочник - Биполярные транзисторы
Поиск по справочнику
|
Основные параметры биполярного транзистора 2N112
- Материал: Ge
- Структура: pnp
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 130mW
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 30V
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 20V
- Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 20V
- Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 200mA
- Предельная температура PN-перехода (Tj): 85°C
- Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 2MHz
- Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 30
- Емкость коллекторного перехода (Cc): 24 pF
- Производитель: CSR
- Корпус: TO22
- Найти datasheet
Похожие по параметрам:
| Транз. | Матер. | Струк. | Pk | Uкб | Uкэ | Uэб | Iк | ft | hfe | Корпус | | 2G396 |
Ge | pnp | 150mW | 30V | 20V | 20V | 200mA | 4MHz | 30 (min) | TO5 | | 2N396A |
Ge | pnp | 150mW | 30V | 20V | 20V | 200mA | 4MHz | 30 ... 150 | TO5 | | T3002 |
Ge | pnp | 150mW | 30V | 20V | 20V | 200mA | 4MHz | 30 ... 150 | TO5 | |
|
|
|
Просмотров: 3 576 343