| Ваш IP: 3.141.2.191 | Online(66) - гости: 7, боты: 59 | Загрузка сервера: 1.45 ::::::::::::
rcl-radio.ru | Основные параметры биполярного транзистора 2N112
Онлайн справочник - Биполярные транзисторы
Поиск по справочнику
Основные параметры биполярного транзистора 2N112

  • Материал: Ge
  • Структура: pnp
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 130mW
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 30V
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 20V
  • Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 20V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 200mA
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 85°C
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 2MHz
  • Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 30
  • Емкость коллекторного перехода (Cc): 24 pF
  • Производитель: CSR
  • Корпус: TO22
  • Найти datasheet
Поиск по параметрам:
Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска.
Пустые поля будут игнорироваться при поиске.
Струк.Pк max (W)Uкб (V)Uкэ (V)Uэб (V)Iк (A)ft (MHz)Разброс поискаПоказывать по
Похожие по параметрам:
Транз.Матер.Струк.PkUкбUкэUэбIкfthfeКорпус
2G396 Gepnp150mW30V20V20V200mA4MHz30 (min) TO5
2N396A Gepnp150mW30V20V20V200mA4MHz30 ... 150TO5
T3002 Gepnp150mW30V20V20V200mA4MHz30 ... 150TO5
Просмотров: 3 071 641