| Ваш IP: 3.128.31.227 | Online(83) - гости: 18, боты: 64 | Загрузка сервера: 0.58 ::::::::::::
rcl-radio.ru | Основные параметры биполярного транзистора DTS2000
Онлайн справочник - Биполярные транзисторы
Поиск по справочнику

Основные параметры биполярного транзистора DTS2000

  • Материал: Si
  • Структура: npn
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 720mW
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 40V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 600mA
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 150°C
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 75MHz
  • Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 10000
  • Емкость коллекторного перехода (Cc): - pF
  • Производитель: ROHM
  • Корпус: TO92
  • Найти datasheet

Поиск по параметрам:
Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска.
Пустые поля будут игнорироваться при поиске.

Струк.Pк max (W)Uкб (V)Uкэ (V)Uэб (V)Iк (A)ft (MHz)Разброс поискаПоказывать по
Похожие по параметрам:
Транз.Матер.Струк.PkUкбUкэUэбfthfeКорпус
2N1410 Sinpn600mW45V--500mA50MHz30 ... 90TO5
2N1410A Sinpn800mW45V--500mA120MHz30 ... 90TO5
2N1946 Sinpn600mW40V--500mA60MHz150 (min) TO5
2N1949 Sinpn600mW40V--500mA60MHz500 (min) TO5
2N1952 Sinpn600mW40V--500mA60MHz250 (min) TO5
PT802 Sinpn600mW45V--500mA50MHz30 ... 90TO5
Просмотров: 3 073 031