| Ваш IP: 18.119.107.36 | Online(164) - гости: 158, боты: 6 | Загрузка сервера: 1.51 ::::::::::::
rcl-radio.ru | Основные параметры биполярного транзистора DTB113ES
Онлайн справочник - Биполярные транзисторы
Поиск по справочнику

Основные параметры биполярного транзистора DTB113ES

  • Материал: Si
  • Структура: pnp
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 300mW
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 50V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 500mA
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 150°C
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 140MHz
  • Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 33 (min)
  • Емкость коллекторного перехода (Cc): - pF
  • Производитель: ROHM
  • Корпус: TO92
  • Найти datasheet

Поиск по параметрам:
Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска.
Пустые поля будут игнорироваться при поиске.

Струк.Pк max (W)Uкб (V)Uкэ (V)Uэб (V)Iк (A)ft (MHz)Разброс поискаПоказывать по
Похожие по параметрам:
Транз.Матер.Струк.PkUкбUкэUэбfthfeКорпус
2SA1728 Sipnp300mW50V--500mA-200TO236
DTB114ES Sipnp300mW50V--500mA140MHz56 (min) TO92
DTB123ES Sipnp300mW50V--500mA140MHz39 (min) TO92
DTB143ES Sipnp300mW50V--500mA140MHz47 (min) TO92
Просмотров: 2 507 832