| Ваш IP: 18.226.200.93 | Online(61) - гости: 11, боты: 50 | Загрузка сервера: 0.38 ::::::::::::
rcl-radio.ru | Основные параметры биполярного транзистора BDV50
Онлайн справочник - Биполярные транзисторы
Поиск по справочнику

Основные параметры биполярного транзистора BDV50

  • Материал: Si
  • Структура: pnp
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 62.5W
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 100V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 8A
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 175°C
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3MHz
  • Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 750 (min)
  • Емкость коллекторного перехода (Cc): - pF
  • Производитель: PHILIPS
  • Корпус: TO220
  • Найти datasheet

Поиск по параметрам:
Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска.
Пустые поля будут игнорироваться при поиске.

Струк.Pк max (W)Uкб (V)Uкэ (V)Uэб (V)Iк (A)ft (MHz)Разброс поискаПоказывать по
Похожие по параметрам:
Транз.Матер.Струк.PkUкбUкэUэбfthfeКорпус
BDV48 Sipnp62.5W80V--8A3MHz750 (min) TO220
KD650 Sipnp60W100V##-8A-750 (min) TO3
Просмотров: 3 073 129