| Ваш IP: 3.138.105.4 | Online(44) - гости: 2, боты: 42 | Загрузка сервера: 0.37 ::::::::::::
rcl-radio.ru | Основные параметры биполярного транзистора 2SB350
Онлайн справочник - Биполярные транзисторы
Поиск по справочнику

Основные параметры биполярного транзистора 2SB350

  • Материал: Ge
  • Структура: pnp
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 150mW
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 25V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 50mA
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 75°C
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): -
  • Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 100
  • Емкость коллекторного перехода (Cc): - pF
  • Производитель: MATSUSHITA
  • Корпус: TO1
  • Найти datasheet

Поиск по параметрам:
Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска.
Пустые поля будут игнорироваться при поиске.

Струк.Pк max (W)Uкб (V)Uкэ (V)Uэб (V)Iк (A)ft (MHz)Разброс поискаПоказывать по
Похожие по параметрам:
Транз.Матер.Струк.PkUкбUкэUэбfthfeКорпус
2N2613 Gepnp120mW30V--50mA4MHz120 (min) TO1
2S38 Gepnp150mW25V--50mA-70TO40
2SA401 Gepnp125mW20V--40mA100MHz70TO44-2
2SA475 Gepnp120mW20V--50mA12MHz70TO1
2SB99 Gepnp125mW30V--50mA600KHz120TO5
40359 Gepnp120mW20V--50mA-20 (min) TO18
GT81 Gepnp150mW25V####50mA##75 (min) TO5
GT82 Gepnp150mW25V####50mA##150 (min) TO5
GT83 Gepnp150mW25V####50mA1MHz42 (min) TO5
GT87 Gepnp150mW25V####50mA700KHz28 (min) TO5
GT88 Gepnp150mW25V####50mA15MHz80 (min) TO5
Просмотров: 3 092 972