Онлайн справочник - Полевые транзисторы
Поиск по справочнику
rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора TK17E65WОсновные параметры полевого транзистора TK17E65W
- Структура (технология): MOSFET
- Тип канала: N-channel
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 165W
- Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 650V
- Предельный постоянный ток стока (Id max): 17.3A
- Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.2 Ом
- Суммарный заряд затвора (Qg): 45 нКл
- Производитель: Toshiba
- Тип корпуса: TO-220
- Найти datasheet
Похожие по параметрам:
| Транз. | Структ. | Канал | Pd max | Uds max | Udg max | Ugs max | Id max | Fr | Сiss | Rds | Корпус| TK16V60W |
MOSFET | N-channel | 139W | 600V | | | 15.8A | | | 0.19 Ом | DFN 8×8 | | TK20V60W |
MOSFET | N-channel | 156W | 600V | | | 20A | | | 0.17 Ом | DFN 8×8 | | TK20N60W |
MOSFET | N-channel | 165W | 600V | | | 20A | | | 0.155 Ом | TO-247 | | TK17N65W |
MOSFET | N-channel | 165W | 650V | | | 17.3A | | | 0.2 Ом | TO-247 | | TK20J60W |
MOSFET | N-channel | 165W | 600V | | | 20A | | | 0.155 Ом | TO-3P(N) | | TK20J60W5 |
MOSFET | N-channel | 165W | 600V | | | 20A | | | 0.175 Ом | TO-3P(N) | |
|
| |
| |
Просмотров: 1 051 213