| Ваш IP: 52.14.224.197 | Online(34) - гости: 18, боты: 16 | Загрузка сервера: 0.49 ::::::::::::
rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора TK20N60W
Онлайн справочник - Полевые транзисторы
Поиск по справочнику
Основные параметры полевого транзистора TK20N60W

  • Структура (технология): MOSFET
  • Тип канала: N-channel
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 165W
  • Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 600V
  • Предельный постоянный ток стока (Id max): 20A
  • Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.155 Ом
  • Суммарный заряд затвора (Qg): 48 нКл
  • Производитель: Toshiba
  • Тип корпуса: TO-247
  • Найти datasheet
Поиск по параметрам:
Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска.
Пустые поля будут игнорироваться при поиске.
Тип каналаPd max(W)Uds max(V)Id max(A)Rds(Ом)Разброс поискаПоказывать
Похожие по параметрам:
Транз.Структ.КаналPd maxUds maxUdg maxUgs maxId maxFrСissRdsКорпус
TK20V60W MOSFETN-channel156W600V20A0.17 ОмDFN 8×8
TK17E65W MOSFETN-channel165W650V17.3A0.2 ОмTO-220
TK17N65W MOSFETN-channel165W650V17.3A0.2 ОмTO-247
TK20J60W MOSFETN-channel165W600V20A0.155 ОмTO-3P(N)
TK20J60W5 MOSFETN-channel165W600V20A0.175 ОмTO-3P(N)
Просмотров: 1 011 259