| Ваш IP: 216.73.216.4 | Online(60) - гости: 13, боты: 47 | Загрузка сервера: 2.18 ::::::::::::
rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора TK16V60W
Онлайн справочник - Полевые транзисторы
Поиск по справочнику
Основные параметры полевого транзистора TK16V60W

  • Структура (технология): MOSFET
  • Тип канала: N-channel
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 139W
  • Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 600V
  • Предельный постоянный ток стока (Id max): 15.8A
  • Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.19 Ом
  • Суммарный заряд затвора (Qg): 38 нКл
  • Производитель: Toshiba
  • Тип корпуса: DFN 8×8
  • Найти datasheet
Поиск по параметрам:
Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска.
Пустые поля будут игнорироваться при поиске.
Тип каналаPd max(W)Uds max(V)Id max(A)Rds(Ом)Разброс поискаПоказывать
Похожие по параметрам:
Транз.Структ.КаналPd maxUds maxUdg maxUgs maxId maxFrСissRdsКорпус
TK16G60W5 MOSFETN-channel130W600V15.8A0.23 ОмD2PAK
TK16G60W MOSFETN-channel130W600V15.8A0.19 ОмD2PAK
TK14G65W MOSFETN-channel130W650V13.7A0.25 ОмD2PAK
TK14G65W5 MOSFETN-channel130W650V13.7A0.3 ОмD2PAK
TK14C65W5 MOSFETN-channel130W650V13.7A0.3 ОмI2PAK
TK14C65W MOSFETN-channel130W650V13.7A0.25 ОмI2PAK
TK16E60W5 MOSFETN-channel130W600V15.8A0.23 ОмTO-220
TK16E60W MOSFETN-channel130W600V15.8A0.19 ОмTO-220
TK14E65W MOSFETN-channel130W650V13.7A0.25 ОмTO-220
TK14E65W5 MOSFETN-channel130W650V13.7A0.3 ОмTO-220
TK17E65W MOSFETN-channel165W650V17.3A0.2 ОмTO-220
TK16N60W5 MOSFETN-channel130W600V15.8A0.23 ОмTO-247
TK16N60W MOSFETN-channel130W600V15.8A0.19 ОмTO-247
TK14N65W MOSFETN-channel130W650V13.7A0.25 ОмTO-247
TK14N65W5 MOSFETN-channel130W650V13.7A0.3 ОмTO-247
TK17N65W MOSFETN-channel165W650V17.3A0.2 ОмTO-247
TK16J60W5 MOSFETN-channel130W600V15.8A0.23 ОмTO-3P(N)
TK16J60W MOSFETN-channel130W600V15.8A0.19 ОмTO-3P(N)
Просмотров: 1 169 206