| Ваш IP: 13.58.45.238 | Online(52) - гости: 13, боты: 39 | Загрузка сервера: 0.68 ::::::::::::
rcl-radio.ru | Основные параметры IGBT транзистора MSAGX60F60A
Онлайн справочник - IGBT транзисторы
Поиск по справочнику

Основные параметры IGBT транзистора MSAGX60F60A

  • Структура (технология): IGBT
  • Тип канала: N-Channel
  • Максимальная рассеиваемая мощность коллектора (Pc max): 300W
  • Предельное постоянное напряжение коллектор - эмиттер (Uce max): 600V
  • Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.9V
  • Предельное постоянное напряжение коллектор - затвор (Ucg max): 600V
  • Предельное постоянное напряжение эмиттер - затвор (Ueb max): ±20V
  • Предельный постоянный ток коллектора (Ic max): 60A
  • Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
  • Время включения/выключения (Fr): 25/250nS
  • Типовое значение емкости коллектора (Cc tip): 2500pF
  • Производитель: MICROSEMI
  • Тип корпуса: COOLPACK
  • Найти datasheet

Поиск по параметрам:
Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска.
Пустые поля будут игнорироваться при поиске.

Тип каналаPc (W)Uce (V)Ucesat (V)Ucg (V)Id (A)Разброс поискаПоказывать по
Похожие по параметрам:
Транз.КаналPd maxUce maxUcesatUcg maxUeb maxId maxFrCc tipКорпус
APT30GT60KRN-Channel250W600V2V600V±20V58A14/190nS1600pFTO220
IXSK30N60CD1N-Channel250W600V2.5V600V±20V55A30/90nS3100pFTO264
IXST30N60CD1N-Channel250W600V2.5V600V±20V55A30/90nS3100pFDPAK
HGTG40N60B3N-Channel290W600V2V600V±20V70A47/170 nSTO247
MSAHX60F60AN-Channel300W600V2.9V600V±20V60A25/250nS2500pFCOOLPACK
STGY50NB60HDN-Channel250W600V2.8V600V±20V50A20/70nS4500pFTMAX
G40N60B3N-Channel290W600V2V600V±20V70A47/170 nSTO247
TA49052N-Channel290W600V2V600V±20V70A47/170 nSTO247
Просмотров: 309 309