Дата: 4/13/2025 | Время: 2:36:43 PM | Ваш IP: 18.117.85.183 | Online(27) - гости: 8, боты: 19 | Загрузка сервера: 0.84 ::::::::::::
rcl-radio.ru | Основные параметры IGBT транзистора HGTP14N40F3VL
Онлайн справочник - IGBT транзисторы
Поиск по справочнику
Основные параметры IGBT транзистора HGTP14N40F3VL

  • Структура (технология): IGBT
  • Тип канала: N-Channel
  • Максимальная рассеиваемая мощность коллектора (Pc max): 83W
  • Предельное постоянное напряжение коллектор - эмиттер (Uce max): 400V
  • Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2V
  • Предельное постоянное напряжение коллектор - затвор (Ucg max): 400V
  • Предельное постоянное напряжение эмиттер - затвор (Ueb max): ±10V
  • Предельный постоянный ток коллектора (Ic max): 14A
  • Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
  • Время включения/выключения (Fr): 16µS
  • Производитель: INTERSIL
  • Тип корпуса: TO220
  • Найти datasheet
Поиск по параметрам:
Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска.
Пустые поля будут игнорироваться при поиске.
Тип каналаPc (W)Uce (V)Ucesat (V)Ucg (V)Id (A)Разброс поискаПоказывать по
Похожие по параметрам:
Транз.КаналPd maxUce maxUcesatUcg maxUeb maxId maxFrCc tipКорпус
HGTP10N40F1DN-Channel75W400V2.5V400V±20V12A45/130nSTO220
10N40F1DN-Channel75W400V2.5V400V±20V12A45/130nSTO220
HGTD10N40F1N-Channel75W400V2.5V400V±20V12A45/130nSIPAK
HGTD10N40F1SN-Channel75W400V2.5V400V±20V12A45/130nSDPAK
HGTD10N40F1S9AN-Channel75W400V2.5V400V±20V12A45/130nSDPAK
G10N40N-Channel75W400V2.5V400V±20V12A45/130nSDPAK
Просмотров: 321 880