Дата: 4/13/2025 | Время: 8:42:38 PM
| Ваш IP: 3.15.145.105 | Online(19) - гости: 4, боты: 15 | Загрузка сервера: 0.36 ::::::::::::
rcl-radio.ru | Основные параметры IGBT транзистора MSAGX60F60B
Онлайн справочник - IGBT транзисторы
Поиск по справочнику
|
Основные параметры IGBT транзистора MSAGX60F60B
- Структура (технология): IGBT
- Тип канала: P-Channel
- Максимальная рассеиваемая мощность коллектора (Pc max): 300W
- Предельное постоянное напряжение коллектор - эмиттер (Uce max): 600V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.9V
- Предельное постоянное напряжение коллектор - затвор (Ucg max): 600V
- Предельное постоянное напряжение эмиттер - затвор (Ueb max): ±20V
- Предельный постоянный ток коллектора (Ic max): 60A
- Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
- Время включения/выключения (Fr): 25/250nS
- Типовое значение емкости коллектора (Cc tip): 2500pF
- Производитель: MICROSEMI
- Тип корпуса: COOLPACK
- Найти datasheet
Похожие по параметрам:
| Транз. | Канал | Pd max | Uce max | Ucesat | Ucg max | Ueb max | Id max | Fr | Cc tip | Корпус | | MSAHX60F60B | P-Channel | 300W | 600V | 2.9V | 600V | ±20V | 60A | 25/250nS | 2500pF | COOLPACK | |
|
|
|
Просмотров: 321 936